[发明专利]一种埋入式传感芯片封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种埋入式传感芯片封装结构，其特征在于，所述结构包括至少一个传感芯片(1)、传感芯片焊盘(2)、传感器件结构部分(3)、介质(4)和导电线路(5)；所述传感芯片焊盘(2)与传感器件结构部分(3)位于传感芯片(1)的顶面，传感芯片焊盘(2)与传感器件结构部分(3)位于同一表面，传感芯片(1)至少一个侧面覆盖有介质(4)，介质(4)上至少有一个一定长度的台阶，所述台阶表面低于传感芯片(1)的顶面，在台阶表面上有导电线路(5)，导电线路(5)沿着台阶表面、台阶侧壁、传感芯片(1)表面和传感芯片焊盘(2)连接。

2.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片封装结构，其特征在于，所述传感芯片(1)是指纹识别芯片。

3.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片封装结构，其特征在于，所述结构还包括有焊盘(6)，所述导电线路(5)覆盖有另一层保护介质，所述另一层保护介质有开口，导电线路(5)从开口处露出，在导电线路(5)的露出端制作有焊盘(6)。

4.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片封装结构，其特征在于，所述介质(4)是环氧树脂等塑封材料或者聚酰亚胺等聚合物介质材料。

5.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片封装结构，其特征在于，所述传感器件结构部分(3)上有感应区域，感应区域可以裸露或者其上覆盖有介质(4)。

6.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片封装结构，其特征在于，介质(4)的台阶靠近传感芯片(1)的侧壁是有一定角度的斜坡，或者垂直于传感芯片(1)的表面。

7.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片封装结构，其特征在于，所述台阶表面与传感芯片焊盘(2)表面的垂直距离大于10微米。

8.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片封装结构，其特征在于，所述导电线路(5)是铝、铜、金、钛、镍金属中的一种或几种组成。

9.根据权利要求1所述的一种埋入式传感芯片封装结构，其特征在于，所述导电线路(5)可以嵌入到所述介质(4)层内，也可以位于所述介质(4)层 表面。

10.一种埋入式传感芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤一：在承载片(10)表面贴胶膜(11)或涂覆聚合物粘结层材料；

步骤二：将已经制作完传感芯片焊盘(2)和传感器件结构部分(3)的传感芯片(1)采用正面向下的方式放置于胶膜(11)上，所述传感芯片(1)有若干个，传感芯片(1)之间有一定距离；

步骤三：介质(4)覆盖在传感芯片(1)上，并整平介质(4)；

步骤四：将承载片(10)剥离，并清除胶膜(11)；

步骤五：在传感芯片(1)表面一侧介质(4)上制备沟槽，沟槽位于传感芯片(1)之间；

步骤六：在传感芯片(1)表面和介质(4)沟槽表面设置导电线路(5)，导电线路(5)与传感芯片焊盘(2)连接；

步骤七：在介质(4)的沟槽中间部位切割分离，形成所述封装结构。

11.根据权利要求10所述的一种埋入式传感芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤一的承载片(10)是硅、玻璃或者不锈钢。

12.根据权利要求10所述的一种埋入式传感芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤二的传感芯片(1)之间距离大于100微米。

13.根据权利要求10所述的一种埋入式传感芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤三采用塑模方法，用模塑料为介质(4)覆盖传感芯片(1)。

14.根据权利要求10所述的一种埋入式传感芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤三介质(4)的整平方法包括研磨和抛光。

15.根据权利要求10所述的一种埋入式传感芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤五采用激光刻蚀或者切割刀切削方法在传感芯片(1)侧面介质(4)上加工形成沟槽。

16.根据权利要求10所述的一种埋入式传感芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤六导电线路(5)材料由钛、铜、镍、金、铝中的一种或几种组成。