[发明专利]一种高电压输出稳压开关电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路，特别是一种稳压电路。

背景技术

现有的LED灯中的稳压电路包括了线圈式的变压器，体积较大，电路结构较复杂，一般只输出１０V左右的电压，电压输出较小。

发明内容

本发明的目的是提供一种高电压输出稳压开关电路，它采用纯电子稳压电路，电路结构简单，体积小,电解电容用较小的容量值即可使输出电压平滑,电路输出功率可大、可小，只需选用合适功率参数的开关管即可。

本发明的目的是采用以下技术方案实现的，包括桥式整流电路DB、MOS管Q1、第一电阻R，第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、三极管Q2、电容C1及比较器U；桥式整流电路DB的１脚接市电正极，桥式整流电路DB的２脚与MOS管Q1的D极连接，桥式整流电路DB的３脚接市电负极，第一电阻R1并联在MOS管Q1的D极与G极之间，MOS管Q1的S极为输出端，MOS管Q1的G极通过第二电阻R2与三极管Q2的集电极连接，三极管Q2的发射集与桥式整流电路DB的３脚连接，三极管Q2的基集与比较器U的OUT端连接，比较器U的GND端接桥式整流电路DB的４脚，比较器U的VDD端一是通过第三电阻R3与MOS管Q1的S极连接，比较器U的VDD端一是通过第四电阻R4与桥式整流电路DB的４脚连接，比较器U的LTH端一是通过第五电阻R5与MOS管Q1的S极连接，比较器U的LTH端一是通过第六电阻R6与比较器U的HTH端连接，比较器U的HTH通过第七电阻R7与桥式整流电路DB的４脚连接，电容C1正极与MOS管Q1的S极连接，电容C1负极与三极管Q2的发射集连接。

本发明采用的MOS管Q1型号为MOSFET的N形，三极管Q2为耐高压三极管，比较器U型号为MIC841H，比较器U的LTH端为高电压感应端，比较器U的HTH端为低电压感应端，比较器U可以起到开关的作用，第二电阻R2为限流电阻，电路刚通电的时候，三极管Q2处于截止状态，MOS管Q1导通，电容C1开始充电；其两端电压开始升高，第五电阻R5、第六电阻R６及第七电阻R７上的电压都开始升高。当比较器U的LTH端电压高于内部基准电压时，比较器U输出VDD的电压值将大于三极管Q2导通电压，使三极管Q2导通，然后MOS管Q1截止，电容C1不再充电，控制输出电压不再升高，因为输出所接的负载消耗电流，电容C1两端的电压会逐渐下降，第五电阻R5、第六电阻R６及第七电阻R７上电压会随之下降，当比较器U的HTH端电压低于内部基准电压时，比较器U输出GND的电压值为0V，使三极管Q2截止，然后MOS管Q1导通，电容C1再开始充电，控制输出电压再升高，直到比较器U的LTH端电压高于内部基准电压,又重复上面的动作，如此重复。采用纯电子稳压电路，电路结构简单，体积小,电压输出平滑,电路输出功率大。

由于采用了上述技术方案，本发明，它采用纯电子稳压电路，电路结构简单，体积小,电解电容用较小的容量值即可使输出电压平滑,电路输出功率可大、可小，只需选用合适功率参数的开关管即可。

附图说明

本发明的附图说明如下。

图1是本发明的电路原理图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与作用更加清楚及易于了解，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步阐述。

    如图1所示，本发明包括桥式整流电路DB、MOS管Q1、第一电阻R，第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、三极管Q2、电容C1及比较器U；桥式整流电路DB的１脚接市电正极，桥式整流电路DB的２脚与MOS管Q1的D极连接，桥式整流电路DB的３脚接市电负极，第一电阻R1并联在MOS管Q1的D极与G极之间，MOS管Q1的S极为输出端，MOS管Q1的G极通过第二电阻R2与三极管Q2的集电极连接，三极管Q2的发射集与桥式整流电路DB的３脚连接，三极管Q2的基集与比较器U的OUT端连接，比较器U的GND端接桥式整流电路DB的４脚，比较器U的VDD端一是通过第三电阻R3与MOS管Q1的S极连接，比较器U的VDD端一是通过第四电阻R4与桥式整流电路DB的４脚连接，比较器U的LTH端一是通过第五电阻R5与MOS管Q1的S极连接，比较器U的LTH端一是通过第六电阻R6与比较器U的HTH端连接，比较器U的HTH通过第七电阻R7与桥式整流电路DB的４脚连接，电容C1正极与MOS管Q1的S极连接，电容C1负极与三极管Q2的发射集连接。