[发明专利]一种建筑光伏组件用胶膜无效
申请号: | 201410791736.5 | 申请日: | 2014-12-19 |
公开(公告)号: | CN104465831A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 潘宇锋 | 申请(专利权)人: | 江苏宇昊新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B27/08;B32B27/32 |
代理公司: | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人: | 袁红红 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 建筑 组件 胶膜 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能光伏组件封装技术领域,特别是涉及一种建筑光伏组件用胶膜。
背景技术
光伏组件的结构从上到下由钢化玻璃面板、第一胶膜层、晶体硅电池片、第二胶膜层、TPT背板组成。在建筑光伏组件中,为了避免可见光透过组件中晶体硅电池片的间隙射入到建筑物中,第二胶膜层需要与第一胶膜层使用不同的材质,即第二胶膜层除了和第一胶膜层一样需要具有良好的粘结力、抗紫外线老化能力外,还需要有具有一定的反射性、遮光性和导热性,现有的技术方法是在EVA胶膜中添加功能性助剂制得改性胶膜作为第二胶膜层使用,但是在组件层压工艺中,第一胶膜层和第二胶膜层高温熔融后会互溢,从而影响第一胶膜层的透光性,降低建筑光伏组件的光电转化率。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种建筑光伏组件用胶膜,用于晶体硅电池片与TPT背板粘接的第二胶膜层,能避免与第一EVA胶膜层熔融后发生互溢现象,进而能避免可见光进入建筑物中,同时能提高建筑光伏组件的光电转化率。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种建筑光伏组件用胶膜,用于晶体硅电池片与TPT背板粘接的第二胶膜层,包括:改性EVA胶膜层、和压合在所述改性EVA胶膜层上下两面的纳米银离子薄膜层,所述改性EVA胶膜层是由改性EVA树脂经模压成型工艺制成的,所述改性EVA树脂包括的原料及各原料的质量百分比为:EVA树脂90%-95%、固化剂2%-4%、紫外线吸收剂2%-5%、偶联剂1%-2%。
在本发明一个较佳实施例中,所述EVA树脂中VA的含量为30%-35%。
在本发明一个较佳实施例中,所述改性EVA胶膜的厚度为0.3-0.5mm。
在本发明一个较佳实施例中,所述纳米银离子薄膜层的厚度为50-70nm。
本发明的有益效果是:本发明采用改性EVA胶膜与纳米银离子薄膜复合而成的改性复合EVA胶膜作为第二胶膜层,能避免与第一EVA胶膜层熔融后发生互溢现象,进而能避免可见光进入建筑物中,同时能提高建筑光伏组件的光电转化率。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明实施例包括:
实施例一:
一种建筑光伏组件用胶膜,用于晶体硅电池片与TPT背板粘接的第二胶膜层,包括:改性EVA胶膜层、和压合在所述改性EVA胶膜层上下两面的纳米银离子薄膜层,所述改性EVA胶膜层是由改性EVA树脂经模压成型工艺制成的,所述改性EVA树脂包括的原料及各原料的质量百分比为:EVA树脂90%、二甲基正己烷4%、正辛氧基二苯甲酮5%、偶联剂1%。
其中,所述EVA树脂中VA的含量为33%。
所述改性EVA胶膜的厚度为0.3mm。
所述纳米银离子薄膜层的厚度为70nm。
实施例二:
一种建筑光伏组件用胶膜,用于晶体硅电池片与TPT背板粘接的第二胶膜层,包括:改性EVA胶膜层、和压合在所述改性EVA胶膜层上下两面的纳米银离子薄膜层,所述改性EVA胶膜层是由改性EVA树脂经模压成型工艺制成的,所述改性EVA树脂包括的原料及各原料的质量百分比为:EVA树脂92%、二甲基正己烷3%、正辛氧基二苯甲酮3%、偶联剂2%。
其中,所述EVA树脂中VA的含量为33%。
所述改性EVA胶膜的厚度为0.4mm。
所述纳米银离子薄膜层的厚度为60nm。
实施例三:
一种建筑光伏组件用胶膜,用于晶体硅电池片与TPT背板粘接的第二胶膜层,包括:改性EVA胶膜层、和压合在所述改性EVA胶膜层上下两面的纳米银离子薄膜层,所述改性EVA胶膜层是由改性EVA树脂经模压成型工艺制成的,所述改性EVA树脂包括的原料及各原料的质量百分比为:EVA树脂95%、二甲基正己烷2%、正辛氧基二苯甲酮2%、偶联剂1%。
其中,所述EVA树脂中VA的含量为33%。
所述改性EVA胶膜的厚度为0.5mm。
所述纳米银离子薄膜层的厚度为50nm。
本发明揭示了一种建筑光伏组件用胶膜,采用改性EVA胶膜与纳米银离子薄膜复合而成的改性复合EVA胶膜作为第二胶膜层,能避免与第一EVA胶膜层熔融后发生互溢现象,进而能避免可见光进入建筑物中,同时能提高建筑光伏组件的光电转化率。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的