[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201410790667.6 | 申请日: | 2014-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN105304671A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
| 发明(设计)人: | 楊熙正;韩奎元;扈源俊;郑在奎 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
在基板上布置于第一方向上的数据线;
在所述基板上布置于第二方向上的栅极线;
布置在所述栅极线和所述数据线的交叉部分处的薄膜晶体管;
与所述薄膜晶体管的源极电极或漏极电极连接并对应于白色像素区域的像素电极;
与所述白色像素区域相对布置的低反射层;和
与所述薄膜晶体管相对布置的遮光层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述低反射层布置在所述像素电极上。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述低反射层由与所述遮光层相同的材料形成。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述遮光层包括四层膜,所述四层膜包括:
第一金属层;
第一氧化物层或第一氮化物层;
第二金属层;和
第二氧化物层或第二氮化物层。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中组成所述薄膜晶体管的源极电极、漏极电极或栅极包括三层膜,所述三层膜包括:
第一氧化物层或第一氮化物层;
第一金属层;和
第二氧化物层或第二氮化物层。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述低反射层包括三层膜,所述三层膜包括:
第一氧化物层或第一氮化物层;
第一金属层;和
第二氧化物层或第二氮化物层。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述低反射层包括三层膜,所述三层膜包括:
第一氧化物层或第一氮化物层;
第一金属层;和
由与所述薄膜晶体管的有源层相同的材料形成的半导体层。
8.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:
在基板上的限定多个像素区域的显示区域中形成遮光层,所述多个像素区域通过在所述基板上用于传输栅极信号的栅极配线和用于传输数据信号的数据配线的交叉而形成,所述遮光层对应于每个像素区域;
在所述遮光层上形成缓冲层、有源层、栅极和层间介电层;
在所述层间介电层的源极电极/漏极电极区域中形成低反射层并在白色像素区域中形成低反射层;和
形成源极电极/漏极电极。
9.根据权利要求8所述的方法,其中在所述白色像素区域中形成所述低反射层包括:
形成氧化物层或氮化物层;
在所述氧化物层或氮化物层上形成金属层;和
在所述金属层上形成氧化物层或氮化物层。
10.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:
在基板上的限定多个像素区域的显示区域中形成遮光层,所述多个像素区域通过在所述基板上用于传输栅极信号的栅极配线和用于传输数据信号的数据配线的交叉而形成,所述遮光层对应于每个像素区域;
在所述遮光层上形成缓冲层和有源层;
形成栅极介电层;
在所述栅极介电层上形成低反射层并在所述缓冲层的白色像素区域中形成低反射层;和
形成栅极、层间介电层、和源极电极/漏极电极。
11.根据权利要求10所述的方法,其中在所述白色像素区域中形成所述低反射层包括:
形成氧化物层或氮化物层;
在所述氧化物层或氮化物层上形成金属层;和
在所述金属层上形成氧化物层或氮化物层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





