[发明专利]一种芯片、芯片的生产和使用方法在审
申请号: | 201410790142.2 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN104538393A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 刘忠志;王晓轩 | 申请(专利权)人: | 昆腾微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06K19/07 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100195 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 生产 使用方法 | ||
1.一种芯片,其特征在于,包括:
保护层,加入有导电颗粒;
硅片,包括:
密封圈,布置有开孔,所述开孔处布置有导线,所述导线的第一线端与所述硅片的核心电路连接;
划片槽,所述导线的第二线端延伸至所述划片槽;
核心电路,包括检测模块,所述检测模块用于检测所述导线之间由所述导电颗粒导致的电连接信息并输出所述电连接信息。
2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述开孔中布置有两条以上导线,所述导线包括一个第一线端和一个第二线端,相邻两个第二线端的最小间隔小于所述导电颗粒的直径;或者
所述开孔中布置有一条导线,所述导线包括一个第一线端和两个以上第二线端,不同开孔中的相邻两个第二线端的最小间隔小于所述导电颗粒的直径。
3.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述核心电路还包括非易失性存储器和比较模块;
所述检测模块用于在芯片的封装测试阶段,检测所述导线之间由所述导电颗粒导致的第一电连接信息,将所述第一电连接信息保存到所述非易失性存储器中,在所述芯片的工作过程中,检测所述导线之间由所述导电颗粒导致的第二电连接信息;
所述比较模块用于比较所述第一电连接信息和所述第二电连接信息,输出比较结果以便所述芯片根据所述比较结果采取相应的措施。
4.根据权利要求1或3所述的芯片,其特征在于,所述检测模块和/或所述比较模块采用硬件电路实现。
5.根据权利要求3所述的芯片,其特征在于,所述比较模块包括:
差获取单元,用于将所述第一电连接信息与所述第二电连接信息进行比较,获取所述第一电连接信息与所述第二电连接信息之间的差值;
阈值比较单元,用于将所述差值与预设的阈值进行比较并输出比较结果。
6.一种芯片的生产方法,其特征在于,包括:
在硅片的制造阶段,在所述硅片的密封圈上开孔,在开孔处布置导线,所述导线的第一线端连接到核心电路,所述导线的第二线端延伸到划片槽里;
在所述核心电路中布置检测模块;
在所述硅片的封装阶段,将所述硅片沿所述划片槽从晶圆片上切割下来,暴露出所述导线,在所述硅片的保护层中加入导电颗粒,采用所述保护层覆盖所述硅片,所述检测模块用于检测所述导线之间由所述导电颗粒导致的电连接信息。
7.根据权利要求6所述的芯片的生产方法,其特征在于,所述在开孔处布置导线具体为:
在所述开孔中布置有两条以上导线,所述导线包括一个第一线端和一个第二线端,相邻两个第二线端的最小间隔小于所述导电颗粒的直径;或者
在所述开孔中布置有一条导线,所述导线包括一个第一线端和两个以上第二线端,不同开孔中的相邻两个第二线端的最小间隔小于所述导电颗粒的直径。
8.根据权利要求6所述的芯片的生产方法,其特征在于,还包括:
在所述核心电路中布置非易失性存储器,用于存储所述检测模块在所述芯片的封装测试阶段检测到的所述导线之间由所述导电颗粒导致的第一电连接信息。
9.一种芯片的使用方法,其特征在于,所述芯片包括保护层、硅片,所述保护层中加入有导电颗粒,所述硅片包括密封圈、划片槽和核心电路,所述密封圈上布置有开孔,所述开孔中布置有导线,所述导线的第一线端与所述核心电路连接,所述导线的第二线端延伸至所述划片槽,所述方法包括:
检测所述导线之间由所述导电颗粒导致的电连接信息;
输出所述电连接信息。
10.根据权利要求9所述的芯片的使用方法,其特征在于,所述检测所述导线之间由所述导电颗粒导致的电连接信息具体为:
在所述芯片的封装测试阶段,检测所述导线之间由所述导电颗粒导致的第一电连接信息,将所述第一电连接信息保存到非易失性存储器中;
所述方法还包括:
在所述芯片的工作过程中,检测所述导线之间由所述导电颗粒导致的第二电连接信息;
比较所述第一电连接信息和所述第二电连接信息,输出比较结果以便所述芯片根据所述比较结果采取相应的措施。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的