[发明专利]钕离子掺杂氧化钪氧化镥混晶激光材料及其制备方法有效
申请号: | 201410789277.7 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN104498034A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 姜本学;张阳;张龙;范金太;张攀德;毛小建 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | C09K11/78 | 分类号: | C09K11/78 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人: | 张泽纯;张宁展 |
地址: | 201800上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 掺杂 氧化 镥混晶 激光 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种钕离子掺杂氧化钪氧化镥混晶激光材料,其特征在于该激光材料的分子式为Nd:LuxSc2-xO3,其中x的取值范围为:0.1≤x≤1.9。
2.权利要求1所述的钕离子掺杂氧化钪氧化镥混晶激光材料的制备方法,其特征在于该方法的具体步骤如下:
(1)选定x的取值,按Nd:LuxSc2-xO3的摩尔比将Lu2O3、Sc2O3、Nd2O3经过200-250目筛过筛称量后装入圆形或方形模具中压制成块体;
(2)将所述的块体放入真空烧结炉中,抽真空至10-3Pa以下,加热至1600-1800℃,保温3-10h,选取致密度≥90%的烧结品;
(3)将所述的致密度≥90%的烧结品放入热等静压炉中,在Ar气气氛下加压至200-300MPa,加热至1800-2000℃,保温5-20h,得到Nd:LuxSc2-xO3混晶激光材料。
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