[发明专利]一种有机发光二极管显示器件及其制备方法有效
申请号: | 201410789043.2 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN104466022B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 陈红;彭兆基;金波 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示器件,包括像素单元层,所述像素单元层一侧对应设置阳极层,另一侧对应设置阴极层,所述像素单元层包括若干发光颜色不全相同且呈阵列排布的子像素,其特征在于,至少一发光颜色的子像素对应的阴极层厚度与其余发光颜色的子像素对应的阴极层厚度不同;且不同发光颜色的子像素的厚度不同;
各所述子像素对应的阴极层均包括第一阴极层,至少一种发光颜色的子像素对应的阴极层包括第二阴极层,且所述第二阴极层不全覆盖所有发光颜色的子像素;所述第二阴极层堆叠设置在所述第一阴极层的下侧;
所述子像素的厚度越大,该子像素对应的第一、第二阴极层的厚度和越大。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述第一阴极层为M、Ag及其合金中的一层或多层形成的堆叠层,M为Mg、Li、K、Ca、Na、Sr、Cs、Ba、Yb中的一种;所述第二阴极层为Mg、Ag及其合金中的一层或多层形成的堆叠层,或Li、K、Ca、Na、Sr、Cs、Ba、Yb中的一层或多层形成的堆叠层。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述第一阴极层的厚度为所述第二阴极层的厚度为
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述阳极层为X层或依次堆叠的X层/Ag层/X层,X为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)中的一种。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述有机发光二极管显示器件包括电极引线,所述子像素的阵列外围还设置有导电条,所述导电条覆盖所述阴极层端部以及所述电极引线的部分区域,用于搭接导通所述阴极层与所述电极引线,所述导电条为Ag、Al、Cu、Au及其合金中的一层或多层形成的堆叠层,所述导电条的厚度为
6.根据权利要求1-5中任一项所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述阴极层上还设置有连续的覆盖所有所述有机发光二极管的光学覆盖层。
7.一种权利1-6任一项所述的有机发光二极管显示器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在衬底上形成阳极层;
在所述阳极层上形成像素单元层,所述像素单元层包括若干发光颜色不全相同且呈阵列排布的子像素;
在所述像素单元层上形成阴极层,其中,至少一发光颜色的子像素对应的阴极层厚度与其余发光颜色的子像素对应的阴极层厚度不同。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器件的制备方法,其特征在于,所述在像素单元层上形成阴极层的步骤,具体包括:在所述像素单元层上形成覆盖所有子像素的第一阴极层;在至少一种发光颜色相同的子像素上形成第二阴极层,且所述第二阴极层不全覆盖所有发光颜色的子像素。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器件的制备方法,其特征在于,还包括在阳极层外围形成导电条的步骤,所述导电条用于搭接导通所述阴极层与电极引线,还包括在所述阴极层上形成光学覆盖层的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择