[发明专利]影像感测器有效
| 申请号： | 201410788747.8 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105789362B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 谢锦全;陈浩民;郭武政 | 申请（专利权）人： | 采钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 影像 感测器 | ||
1.一种影像感测器，其特征在于，包括：
一感测层；
一滤光单元，设置于该感测层；
一导电层，环绕该滤光单元，且设置于该感测层上，所述导电层的透光率小于20％，所述导电层不包括金属；以及
一反射层，环绕该滤光单元，且设置于该导电层上，所述反射层的一透光率大于80％，且该反射层的一折射率小于1.45；
其中，所述滤光单元、所述导电层以及所述反射层形成光导管结构。
2.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，所述导电层为一导电聚合物材料。
3.如权利要求2所述的影像感测器，其特征在于，所述导电聚合物材料包括聚苯胺、聚砒咯、聚苯乙烯磺酸、自掺杂聚苯胺、自掺杂聚噻吩、或其结合。
4.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，还包括一遮光层，环绕所述滤光单元，且位于所述反射层与所述感测层之间，其中该遮光层的一透光率小于20％。
5.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，所述感测层具有一凹槽，且所述导电层位于该凹槽内。
6.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，所述感测层包括：
一基板；
一感测单元，设置于该基板内；以及
一抗反射层，设置于该基板，且设置于该感测单元上。
7.一种影像感测器，其特征在于，包括：
一感测层；
一滤光单元，设置于该感测层；
一遮光层，环绕该滤光单元，且设置于该感测层上；
一导电层，环绕该滤光单元，且设置于该遮光层上，所述导电层的透光率小于20％，所述导电层不包括金属；以及
一反射层，环绕该滤光单元，且设置于该导电层上，所述反射层的一透光率大于80％，且该反射层的一折射率小于1.45；
其中，所述滤光单元、所述导电层以及所述反射层形成光导管结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于采钰科技股份有限公司，未经采钰科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410788747.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
