[发明专利]用于处理衬底的设备

说明书

本发明提供一种用于处理衬底的设备。所述设备包含：热处理腔室，其具有热处理空间，在所述热处理空间中对衬底执行热处理；衬底支撑件，其经配置以在热处理空间中支撑衬底；气体喷射单元，其经配置以将气体喷射到衬底支撑件；加热灯，其经配置以产生热能；窗口，其经配置以将从加热灯生成的热能传输到衬底支撑件；以及加热块，其包含耦合单元，所述耦合单元经配置以将气体喷射单元、窗口和加热灯耦合到彼此，因此通过将窗口定位在加热灯与气体喷射单元之间气体喷射单元、窗口和加热灯依序从邻近于衬底支撑件的位置连续地安置。本发明的设备防止热处理腔室内的区域之间的温度的差异的出现。

技术领域

本发明涉及一种用于处理衬底的设备，并且更确切地说，涉及一种用于对衬底进行热处理的设备。

背景技术

热处理是用于制造半导体、显示器等的各种过程中的必需过程。使用TiN、TiSi2和硅化钴(CoSi2)的欧姆接触合金化、离子植入损伤退火、掺杂剂活化和薄膜形成需要热处理。

存在用于执行热处理的熔炉和快速热处理(rapid thermal processing，RTP)装置。在RTP装置中，难以在衬底的整个区域上方均匀地维持温度、当替换衬底时相对于其它衬底同等地维持温度时间特性，或精确地测量和控制衬底的温度。因此，RTP装置已经脱离了聚光灯。然而，随着温度测量和控制技术的发展RTP装置被熔炉所替代。

图1是执行热处理的衬底处理设备的框图。

执行热处理的衬底处理设备通过使用卤钨灯的辐射线将热传输到衬底S。因此，执行热处理的衬底处理设备包含加热块10。此处，多个加热灯11安置在加热块10的表面上面向衬底S。并且，热处理腔室20包含衬底支撑件50和用于升高衬底S的提升销51。衬底S穿过门60加载到热处理腔室20或从热处理腔室20卸载。用于喷射气体的气体喷射单元40和用于排放气体的排放孔70安置在热处理腔室20内部。

由透明的石英材料形成的窗口30安置在热处理腔室20与加热块10之间。因此，加热块10中的加热灯11和热处理腔室20中的气体喷射单元40是通过窗口30彼此隔开的。窗口30可防止作为污染物的颗粒被引入到安置于加热块10之下的热处理腔室20中。并且，窗口30可允许在安置在加热块10的上部部分上的加热块10中的加热灯11的热能向下传输，由此将热能传输到衬底。类似于此，在执行热处理的现有衬底处理设备中，气体喷射单元40安置在热处理腔室20中的一侧处以在一个方向上喷射气体，并且因此可能无法均匀地供应气体。并且，如图2中所说明，可能出现热处理腔室20内的区域之间的温差。因此，存在影响热处理过程的局限性。具体来说，在用于制造AMOLED、光伏发电单元、LED和半导体的大面积RTP装置中，虽然衬底必须在大约80℃到大约850℃的温度下均匀地热处理，但是在热处理腔室20中可能出现非均一性的温度。

并且，由于气体喷射单元40安置在热处理腔室20中，所以当作为待热处理的目标对象的衬底S破裂时气体喷射单元40可能被损坏。并且，由于气体喷射单元40安置在热处理腔室20内部，因此难以清洁气体喷射单元40。

[现有技术文献]

专利文献1：韩国专利注册号1031226

发明内容

本发明提供了一种用于处理衬底的设备，所述设备防止热处理腔室内的区域之间的温度的差异的出现。

本发明还提供了一种用于处理衬底的设备，所述设备改进了腔室内的气体均一性和温度均一性。

本发明还提供了一种用于处理衬底的设备，其中气体喷射单元安置在分开的区域中，而非在热处理腔室的内部，以容易地清洁气体喷射单元。