[发明专利]非平面器件和应变产生沟道电介质有效

专利信息
申请号: 201410784304.1 申请日: 2014-12-16
公开(公告)号: CN105321943B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 江国诚;冯家馨;吴志强 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L21/762;H01L21/77
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 鳍结构 应变部件 电路器件 隔离部件 非平面 衬底 沟道电介质 沟道区 电介质 垂直 集成电路器件 晶体管 成对 填充 配置
【权利要求书】:

1.一种集成电路器件,包括:

衬底;

第一鳍结构和第二鳍结构,所述第一鳍结构和所述第二鳍结构均设置在所述衬底上并且具有限定在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间的隔离部件沟槽,其中,所述第一鳍结构和所述第二鳍结构均包括设置在所述衬底上的下部和设置在所述下部上的上部,其中,所述下部具有与所述上部不同的半导体材料;

应变部件,设置在所述隔离部件沟槽内的所述衬底的水平面上,并且设置在所述第一鳍结构和第二鳍结构的下部的垂直表面上,而不设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的上部的垂直表面上;以及

填充电介质,设置在所述隔离部件沟槽内的所述应变部件上。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中,所述应变部件配置为在所述第一鳍结构上形成的晶体管的沟道区上产生应变。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件,还包括设置在所述应变部件和所述填充电介质之间的衬垫。

4.根据权利要求3所述的集成电路器件,其中,所述衬垫与所述填充电介质的最顶面间隔开。

5.根据权利要求3所述的集成电路器件,其中,所述隔离部件沟槽内的隔离部件包括位于所述隔离部件的最顶面和所述衬垫的最顶面之间的介电材料。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件,还包括第三鳍结构,所述第三鳍结构设置在所述衬底上并且具有设置在所述第三鳍结构上的p-沟道器件,其中,所述第三鳍结构具有设置在所述衬底上的第一层、设置在所述第一层上的第二层以及设置在所述第二层的至少三个表面上的第三层。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件,其中,所述第一层包括SiGe,其中,所述第二层包括元素Si,并且其中,所述第三层包括SiGe。

8.一种半导体器件,包括:

衬底;

鳍,所述鳍从所述衬底垂直地延伸出,并且包括两个或多个源极/漏极区和设置在所述两个或多个源极/漏极区之间的沟道区,其中,所述鳍包括设置在所述衬底上的下部和设置在所述下部上的上部,其中,所述下部具有与所述上部不同的半导体材料;

隔离部件,设置在与所述鳍相邻的所述衬底上,其中,所述隔离部件包括:

衬垫,设置在所述鳍的侧面上和所述衬底的顶面上;以及

填充材料,设置在所述衬垫上并且具有与所述衬底相对的最顶面,其中,所述衬垫远离所述填充材料的最顶面设置;以及

应变部件,介于所述鳍的半导体材料和所述衬垫之间,并且设置在所述鳍的下部的垂直表面上,而不设置在所述鳍的上部的垂直表面上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,所述衬垫包括SiN,并且其中,所述填充材料包括SiOx

10.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,所述应变部件还设置在所述衬底的所述顶面上介于所述衬底的半导体材料和所述衬垫之间。

11.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,将所述应变部件配置成在所述鳍的所述沟道区中产生沟道应变。

12.根据权利要求11所述的半导体器件,

其中,所述沟道应变是拉伸应变,

其中,所述鳍包括在所述鳍上形成的n-沟道器件,以及

其中,所述n-沟道器件包括所述沟道区和两个或多个所述源极/漏极区。

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