[发明专利]半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，包括：

步骤S11、提供一形成有至少两个透射电极的基板；

步骤S12、在所述形成有至少两个透射电极的基板上形成绝缘层，刻蚀所述绝缘层以暴露出所述透射电极；

步骤S13、对所述绝缘层实施固化工艺，使得所述绝缘层具有向与其在同一像素内的透射电极延伸的第一延伸部，以及具有向与其在相邻像素的透射电极延伸的第二延伸部；

步骤S14、在所述绝缘层表面形成反射电极；

步骤S15、刻蚀去除所述第二延伸部。

2.如权利要求1所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述绝缘层表面形成反射电极的步骤S14包括：

在所述绝缘层和所述暴露出的透射电极表面上形成金属层；

在所述金属层上形成光阻层，并图案化所述光阻层；

以所述图案化光阻层为掩模刻蚀所述金属层形成反射电极，并暴露所述透射电极和所述第二延伸部。

3.如权利要求2所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S15中刻蚀去除所述第二延伸部以所述图案化光阻层为掩模。

4.如权利要求1所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，反射电极覆盖所述第一延伸部并与同一像素内的透射电极相连。

5.如权利要求4所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有至少两个透射电极的基板还包括作为像素开关的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电连接或者所述薄膜晶体管的源极与所述透射电极电连接。

6.如权利要求4所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有至少两个透射电极的基板还包括作为像素开关的薄膜晶体管，在步骤S13和S14之间具有刻蚀过孔的步骤，所述过孔用于导通所述反射电极和所述薄膜晶体管的漏极或者所述过孔用于导通所述反射电极和所述薄膜晶体管的源极。

7.一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，包括：

步骤S11、提供一形成有至少两个透射电极的基板；

步骤S12、在所述形成有至少两个透射电极的基板上形成绝缘层，刻蚀所述绝缘层以暴露出所述透射电极；

步骤S13、对所述绝缘层实施固化工艺，使得所述绝缘层具有向与其在同一像素内的透射电极延伸的第一延伸部，以及具有向与其在相邻像素的透射电极延伸的第二延伸部；

步骤S14、在所述绝缘层表面形成反射电极；

步骤S15、刻蚀去除所述第一延伸部和所述第二延伸部。

8.如权利要求7所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述绝缘层表面形成反射电极的步骤S14包括：

在所述绝缘层和所述暴露出的透射电极表面上形成金属层；

在所述金属层上形成光阻层，并图案化所述光阻层；

以所述图案化光阻层为掩模刻蚀所述金属层形成反射电极，并暴露所述透射电极和第一延伸部和所述第二延伸部。

9.如权利要求8所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S15中刻蚀去除第一延伸部和所述第二延伸部以所述图案化光阻层为掩模。

10.如权利要求7所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有至少两个透射电极的基板还包括作为像素开关的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电连接或者源极与所述透射电极电连接；

在步骤S13和S14之间具有刻蚀过孔的步骤，所述过孔用于导通所述反射电极和所述薄膜晶体管的漏极或者所述过孔用于导通所述反射电极和所述薄膜晶体管的源极。

11.如权利要求2或8所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法还包括去除所述图案化光阻层的步骤。

12.如权利要求1-10中任一项所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，刻蚀去除所述第二延伸部后所述绝缘层在相邻像素的反射电极和透射电极的交界处形成侧面，所述侧面与所述透射电极具有角度为70度-110度的夹角。

13.如权利要求1-10中任一项所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为有机膜。