[发明专利]一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构及使用方法

权利要求书

1. 一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构，其特征在于，该控制结构包括石英安瓿瓶（1）、石英坩埚（2）、石墨锭（5）、石墨塞（6）和金属Ga锭（7），所述的石英坩埚（2）为籽晶井（4）端开口的石英坩埚，石墨塞（6）为T型圆柱石墨塞，石墨塞（6）放置于石英坩埚（2）的籽晶井（4）端口，用于封堵籽晶井（4）端口，避免籽晶滑落；所述的金属Ga锭（7）置于石英安瓿瓶（1）底部，石英安瓿瓶（1）倒扣在石英坩埚（2）上，石英安瓿瓶（1）中的金属Ga锭（7）与石墨塞（6）接触；石英安瓿瓶（1）与石英坩埚（2）的放肩部位（3）留有缝隙；所述的石墨锭（5）水平推入石英安瓿瓶（1），使石墨锭（5）前端与石英坩埚（2）结合。

2.一种如权利要求1所述的锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构使用方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）.将预先烧制的锑化镓圆柱形多晶锭垂直放于支撑台上，在锑化镓多晶锭顶端放置一定量的卤盐液封剂；

（2）.将石英坩埚大口朝下，套于锑化镓多晶锭上，石英坩埚放肩部位与锑化镓多晶锭接触作为着力点；

（3）.将预先准备好的锑化镓籽晶从石英坩埚的籽晶井尾部端口进入籽晶井中；

（4）.在石英坩埚的籽晶井端口放置T型圆柱石墨塞，使其小直径一端进入籽晶井且紧密接触；

（5）.将预先底部凝固有金属Ga锭的石英安瓿瓶倒扣于石英坩埚上，此时，石英坩埚一端的T型圆柱石墨塞与石英安瓿瓶底部的金属Ga锭接触作为着力点；

（6）.一手握住石英安瓿瓶，一手握住所述的支撑台，将整个控制系统旋转90度，即此时控制系统水平放置；

（7）.将石墨锭小直径一端面向坩埚，水平推入石英安瓿瓶，轻微摇晃石英安瓿瓶，使石墨锭与石英坩埚口结合；

（8）.抽真空、熔封石英安瓿瓶。

3.根据权利要求2所述的一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构使用方法，其特征在于，步骤（1）中所述的卤盐液封剂由NaCl和KCl按摩尔比1:1配制。

4.根据权利要求2所述的一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构使用方法，其特征在于，步骤（3）中所述的锑化镓籽晶进入籽晶井中，二者间隙小于100微米。

5.根据权利要求2所述的一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构使用方法，其特征在于，步骤（8）中所述的抽真空、熔封石英安瓿瓶时，采取将控制系统立式或水平放置两种方式，采用将控制系统水平放置进行抽真空、熔封石英安瓿瓶时，石英安瓿瓶底部凝固有金属Ga锭一端采用冰块冷却，防止其提前熔化，造成流出泄漏。