[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

说明书

一种半导体存储器件包括：操作控制块，其适于响应于第一预设命令和经由地址焊盘输入的地址信号来控制至/从测试公共模式和测试应用模式的进入/离开；测试正常输入块，其适于在所述测试应用模式下响应于所述第一预设命令来将所述地址信号作为测试操作信号接收；测试公共输入块，其适于在所述测试公共模式下响应于第二预设命令来将经由数据焊盘输入的数据信号作为所述测试操作信号接收；以及内部电路，其适于在所述测试应用模式下响应于所述测试操作信号来执行预设测试操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年12月18日提交的申请号为10-2013-0158543的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及半导体设计技术，且更具体地涉及一种支持可从外部访问的测试模式的半导体存储器件。

背景技术

同步半导体存储器件使用模式寄存器和模式寄存器组(MRS)。模式寄存器对用于控制同步半导体存储器件的各种操作模式的数据进行编程和储存。

传统半导体存储器件的操作模式或特性由输入的控制信号决定。然而，在同步半导体存储器件中，中央处理单元(CPU)预设同步半导体存储器件稍后要使用的操作模式，即，CAS延时(列地址选通延时)或突发长度，并且访问同步半导体存储器件。这样的操作模式被设置且储存在模式寄存器中，并且一系列模式寄存器的集合称作模式寄存器组(MRS)。因此，指示半导体存储器件的模式的一系列码被设置在模式寄存器组中，其中，这样的码被称作MRS(模式寄存器组)码。

常规地，MRS码由地址的组合产生，并且与产生的MRS码对应地决定半导体存储器件的相应操作模式。这样的MRS码由JEDEC来标准化。用于测试在半导体设计工艺中设计的半导体存储器件的MRS码是必要的，其被称作测试MRS码。

图1是根据传统技术的半导体存储器件的MRS码的表格。

参见图1，MRS码的表格值通过经由地址焊盘BA2至BA0和A15至A0施加的信号的组合来决定。

详细地，在经由地址焊盘BA2至BA0和A15至A0输入的信号之中，使用地址焊盘A7的信号TM来控制半导体存储器件的测试模式的进入。即，半导体存储器件在信号TM的值是‘0’时执行正常操作，而在信号TM的值是‘1’时执行测试模式操作。

当信号TM的值是‘1’，且半导体存储器件执行测试模式操作时，在半导体存储器件的制造公司之间用于将在测试模式下使用的测试操作码输入至半导体存储器件的方法不同。即，由于在制造公司之间半导体存储器件的详细内部操作不同，并且用于测试所述操作的方法非常复杂，所以对半导体存储器件执行的测试方法从半导体存储器件的外部不可访问。

当向半导体存储器件添加包括时序调整等在内的一些功能以达到高速操作时，外部半导体控制器或使用者非常有必要执行半导体存储器件的特定公共测试功能。然而，由于半导体公司关心安全性且竞相保证产品操作，所以对于开发和测试而言必要的测试模式操作方法被保密且通常不对公众公开。非常有可能的适，当考虑到必要测试模式的类型日益增长时，通过使用针对发布的MRS码经由单独的规范(SPEC.)来限定特定功能或定时面临着一些限制。

在这个方面，有必要提供一种用于允许外部半导体控制器或使用者访问可以在半导体存储器件的规范(SPEC.)的范围中公开的一些内部测试模式操作的方法。

发明内容

本发明的各种实施例针对支持可从外部访问的测试模式的半导体存储器件及其操作方法。