[发明专利]一种电荷泵参考电压的产生电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路结构，尤其是一种电荷泵参考电压的产生电路，属于集成电路的技术领域。

背景技术

通常在非挥发性记忆体的一次可编程或多次可编程中，在进行编程或擦除时需要高压。如图1所示，为现有一次性可编程的应用状态图。一次可编程模块（OTP）在编程程序或数据时，能实现对MCU间的数据交互。一次可编程模块在进行编程时，需要高电压VPP支持。现有技术中，一次可编程模块获取高电压VPP的方法有两种：一种是直接从外面引入，另一种是通过电荷泵来产生高电压VPP。当采用直接从外面引入时，需要考虑与一次可编程模块连接管脚的静电释放（ESD）问题，特别是此时一次可编程模块的抗干扰能力较差，难以适应对一次可编程的高精度编程或擦除需要。采用电荷泵来提供高电压VPP时，能确保一次可编程模块编程的精度，但现有电荷泵的结构复杂，成本高，难以满足大规模的使用要求。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种电荷泵参考电压的产生电路，其结构紧凑，满足集成电路中高电压VPP电压的使用要求，降低使用成本，适应范围广，安全可靠。

按照本发明提供的技术方案，所述电荷泵参考电压的产生电路，包括电容泵，所述电容泵与用于向所述电容泵输入晶振时钟信号的晶振时钟以及用于向所述电容泵输入泵使能信号的比较器连接，所述比较器还与所述电容泵的输入端连接；

比较器采集电容泵输出的高电压VPP，当所述高电压VPP低于比较器内的预设电压时，比较器能向电容泵输入泵使能信号，电容泵在晶振时钟信号以及泵使能信号作用下持续输出所需的高电压VPP。

所述比较器与参考电压产生器连接，所述参考电压产生器包括带隙基准电压源。

所述参考电压产生器包括电阻R1以及电阻R2，所述电阻R1的一端与电压VDD连接，电阻R1的另一端与比较器的输入端以及电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端接地。

所述电压VDD直接从线路版图的电压管脚连接得到。

本发明的优点：通过比较器对电容泵产生的高电压VPP进行反馈检测，使得电容泵输出的高电压VPP不会高于预设电压，确保满足集成电路中高电压VPP电压的使用要求，降低使用成本，适应范围广，安全可靠。

附图说明

图1为现有一次可编程模块的应用状态图。

图2为本发明的结构框图。

图3为本发明参考电压产生器的电路原理图。

附图标记说明：1-电容泵、2-晶振时钟、3-比较器以及4-参考电压产生器。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。

如图2所示：为了能满足集成电路中高电压VPP电压的使用要求，降低使用成本，适应范围广，本发明包括电容泵1，所述电容泵1与用于向所述电容泵1输入晶振时钟信号的晶振时钟2以及用于向所述电容泵1输入泵使能信号的比较器3连接，所述比较器3还与所述电容泵1的输入端连接；

比较器3采集电容泵1输出的高电压VPP，当所述高电压VPP低于比较器3内的预设电压时，比较器3能向电容泵1输入泵使能信号，电容泵1在晶振时钟信号以及泵使能信号作用下持续输出所需的高电压VPP。

具体地，电容泵1是一种利用电子开关和电容器将直流电升高电压或反转极性的电路，晶振时钟2能提供电容泵1工作所需的晶振时钟信号，比较器3与电容泵1之间形成一个反馈回路，通过比较器3对电容泵1输出的高电压VPP进行反馈检测，当所述检测的高电压VPP大于比较器3内的预设电压时，比较器3即会向电容泵1传输使能停止信号；而当检测的高电压VPP低于比较器3内的预设电压时，比较器3即会向电容泵1传输泵使能信号。电容泵1只有在晶振时钟信号以及泵使能信号同时有效的情况下，才会继续输出高电压VPP，以提供非挥发记忆体在编程或擦除操作中所需的电压。

一般地，泵使能信号可以为高电平信号，泵停止信号可以为低电平信号，比较器3内的预设电压可以根据需要进行预先固定设置。电容泵1、比较器3可以采用现有的电路结构，只要能使得电容泵1能升高电压，比较器3能对电容泵1输出的高电压VPP进行反馈检测即可，具体不再赘述。

如图3所示，所述比较器3与参考电压产生器4连接，所述参考电压产生器4包括带隙基准电压源。

本发明实施例中，比较器3内的预设电压也可以通过参考电压产生器4产生得到，参考电压产生器采用带隙基准电压源，具有面积大，容易设计实现等优点。