[发明专利]改善SONOS存储器读取操作能力的方法

权利要求书

1.一种改善SONOS存储器读取操作能力的方法，其特征在于，SONOS存储器的单元结构由一个SONOS晶体管和一个N型传输晶体管组成，采用如下步骤制造所述SONOS存储器的单元结构：

步骤一、在形成所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极之后，进行N型轻掺杂漏注入，形成的N型轻掺杂漏区和所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极边缘自对准；

所述SONOS晶体管的栅极由叠加于P阱表面的ONO层和多晶硅栅组成，所述N型传输晶体管的栅极由叠加于所述P阱表面的栅氧和多晶硅栅组成，所述P阱形成于硅衬底表面；

所述SONOS晶体管的漏区和所述N型传输晶体管的源区共用一个第一源漏区，且该第一源漏区位于所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极之间，所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极的间隙越小，所述SONOS存储器的单元结构的占用面积越小；

步骤二、在所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极的侧面形成氮化硅侧墙；

步骤三、在形成所述氮化硅侧墙后的所述硅衬底正面形成二氧化硅层；在所述SONOS晶体管的源区侧和所述N型传输晶体管的漏区侧，所述二氧化硅层的厚度满足后续进行源漏注入时离子能注入到所述硅衬底表面且能对所述硅衬底表面形成保护；随着所述SONOS存储器的单元结构的尺寸的减小，位于所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极之间的所述二氧化硅层会从两个栅极的侧面往中间延伸并使所述二氧化硅层的纵向厚度增加，当所述二氧化硅层将所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极之间的间隙完全填充时所述二氧化硅层的纵向厚度达到最大；

步骤四、采用NPC层次的光罩形成第一光刻胶图形定义出所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极之间的第一接触孔的开口区，后续形成的所述第一接触孔的底部和所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极之间间隙自对准，所述第一接触孔用于引出所述第一源漏区；

步骤五、利用所述第一光刻胶图形为掩膜对所述二氧化硅层进行刻蚀，该刻蚀使所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极之间的所述二氧化硅层的纵向厚度和满足后续进行源漏注入时离子能注入到所述硅衬底表面且能对所述硅衬底表面形成保护；

利用所述第一光刻胶图形为掩膜对所述氮化硅侧墙进行刻蚀，该刻蚀使所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极之间的所述氮化硅侧墙的顶部圆滑且开口增加；之后去除所述第一光刻胶图形；

步骤六、进行源漏注入，所述源漏注入同时形成所述SONOS晶体管的源区、所述N型传输晶体管的漏区和所述第一源漏区。

2.如权利要求1所述的改善SONOS存储器读取操作能力的方法，其特征在于：步骤五中所述二氧化硅层刻蚀后的位于所述SONOS晶体管和所述N型传输晶体管的栅极之间的所述二氧化硅层的纵向厚度等于位于所述SONOS晶体管的源区侧和所述N型传输晶体管的漏区侧的所述二氧化硅的厚度。

3.如权利要求2所述的改善SONOS存储器读取操作能力的方法，其特征在于：步骤三形成的所述二氧化硅位于所述SONOS晶体管的源区侧和所述N型传输晶体管的漏区侧的厚度为

4.如权利要求1所述的改善SONOS存储器读取操作能力的方法，其特征在于：步骤二中形成所述氮化硅侧墙的方法为先在所述硅衬底正面淀积一层氮化硅层，在对所述氮化硅层进行全面刻蚀形成所述氮化硅侧墙。