[发明专利]ZnSe纳米晶的制备方法、ZnSe纳米晶及ZnSe缓冲层的制备方法

权利要求书

1.一种ZnSe纳米晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、制备硒前驱体溶液：将油胺、硒单质和还原剂配成反应溶液，加热至130℃，反应制得所述硒前驱体溶液，然后将所述硒前驱体溶液降温至70℃；在所述反应溶液中，所述硒前驱体溶液的浓度为0.25-1.5mol/L，所述还原剂与所述硒单质的摩尔比≥1:1，所述还原剂为二甲基胺硼烷或硼氢化钠；所述还原剂为二甲基胺硼烷；

S2、配制锌前驱体溶液：将锌源分散在反应溶剂中配得所述锌前驱体溶液，所述锌源和所述硒单质的摩尔比为1:1～1:1.5，所述反应溶剂为油胺或者为十八烯与硬脂肪酸的混合溶剂；

S3、制备ZnSe纳米晶：在无水无氧体系下，将步骤S2中的所述锌前驱体溶液加热到230℃，再将步骤S1中所述的硒前驱体溶液注射到所述锌前驱体溶液中，反应10min，得到所述ZnSe纳米晶，所述ZnSe纳米晶为立方相闪锌矿结构。

2.如权利要求1所述的ZnSe纳米晶的制备方法，其特征在于：步骤S2中的所述锌源为乙酰丙酮锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌、醋酸锌、油酸锌和二乙基锌中的一种。

3.如权利要求1所述的ZnSe纳米晶的制备方法，其特征在于：在步骤S2中的所述十八烯与硬脂肪酸的混合溶剂中，所述十八烯的体积与所述硬脂肪酸的物质的量之比为8-12mL:2-5mmol。

4.如权利要求1所述的ZnSe纳米晶的制备方法，其特征在于：在所述步骤S3之后，还包括S4：用有机溶剂对所述ZnSe纳米晶进行洗涤，所述有机溶剂选自甲苯、氯仿、正己烷、甲醇、乙醇和异丙醇中的至少一种。

5.如权利要求4所述的ZnSe纳米晶的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂是甲苯和乙醇的混合溶剂，甲苯与乙醇的体积比为1:2。

6.一种ZnSe缓冲层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将权利要求1-5任意一项所述的ZnSe纳米晶的制备方法制备得到的所述ZnSe纳米晶按固液比为100-500mg/mL分散在有机溶剂中配制成均一、稳定的ZnSe纳米晶墨水；

(2)将所述ZnSe纳米晶墨水涂覆在薄膜太阳电池的吸收层上制得ZnSe缓冲层，所述ZnSe缓冲层的厚度为50-100nm。

7.如权利要求6所述的ZnSe缓冲层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的固液比为150-250mg/mL。