[发明专利]一种超导强磁场磁控溅射阴极的低温冷却系统有效
| 申请号: | 201410766299.1 | 申请日: | 2014-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN104465283A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | 邱清泉;屈飞;宋乃浩;张志丰;古宏伟;张国民;戴少涛;肖立业 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号: | H01J37/07 | 分类号: | H01J37/07;H01J37/34 |
| 代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 超导 磁场 磁控溅射 阴极 低温 冷却系统 | ||
1.一种超导强磁场磁控溅射阴极的低温冷却系统,其特征在于:所述的低温冷却系统由第一液氮存储杜瓦(1)、第一增压阀(2)、第一放气阀(3)、第一输液管道(4-1)和第一输液杆(4-2)、第二液氮存储杜瓦(5)、第二增压阀(6)、第二放气阀(7)、第二输液管道(8-1)和第二输液杆(8-2)、真空腔体(9)、磁体杜瓦上盖(10),以及磁体杜瓦底座(11)组成;第一增压阀(2)和第一放气阀(3)安装在第一液氮存储杜瓦(1)上部的两侧;第一输液管道(4-1)通过第一输液杆(4-2)插入第一液氮存储杜瓦(1)内部;第二增压阀(6)和第二放气阀(7)安装在第二液氮存储杜瓦(5)上部的两侧,第二输液管道(8-1)通过第二输液杆(8-2)插入第二液氮存储杜瓦(5)内部;磁体杜瓦上盖(10)和磁体杜瓦底座(11)构成磁体杜瓦;磁体杜瓦底座(11)通过管状托架(18)固定于真空腔体(9)底座上;第一输液管道(4)和第二输液管道(8)通过管状托架(18)进入磁体杜瓦。
2.如权利要求1所述超导强磁场磁控溅射阴极的低温冷却系统,其特征在于:超导磁体(12)、外磁轭(13)、内磁轭(14)和底磁轭(15)安装在所述的磁体杜瓦中;外磁轭(13)位于内磁轭(14)的外部,底磁轭(15)位于外磁轭(13)和内磁轭(14)的底部,超导磁体(12)嵌在由外磁轭(13)、内磁轭(14)和底磁轭(15)所包围的空间中;在所述的磁体杜瓦的液氮进口和液氮出口之间设置有外导流隔板(21-1)和内导流隔板(21-2),外导流隔板(21-1)位于外磁轭(13)和超导磁体(12)之间,内导流隔板(21-2)位于超导磁体(12)和内磁轭(14)之间;磁体杜瓦上盖(10)与阴极靶材(16)固定在一起,磁体杜瓦上盖(10)与阴极靶材(16)之间留有部分真空间隙(17);超导磁体(12)由液氮迫流冷却;阴极靶材(16)由液氮冷量通过磁体杜瓦上盖(10)进行传导冷却。
3.如权利要求1所述超导强磁场磁控溅射阴极的低温冷却系统,其特征在于:超导磁体(12)和阴极靶材(16)采用独立的冷却系统;阴极靶材(16)下面附加水冷背板(19),水冷背板(19)内部通水循环冷却;超导磁体(12)采用液氮迫流冷却;磁体杜瓦上盖(10)与水冷背板(19)不直接接触,留有完整真空间隙(17)。
4.如权利要求1至3的任一项所述的低温冷却系统,其特征在于:超导磁体(12)采用的迫流冷却方式如下:在第一液氮存储杜瓦(1)工作时,液氮由第一液氮存储杜瓦(1)向第二液氮存储杜瓦(5)快速流动;在第一液氮存储杜瓦(1)中的液氮量不足的情况下,则采用第二液氮存储杜瓦(5)工作,液氮由第二液氮存储杜瓦(5)向第一液氮存储杜瓦(1)流动。
5.如权利要求4所述的低温冷却系统,其特征在于:所述的第一液氮存储杜瓦(1)和第二液氮存储杜瓦(5)交替工作:在第一增压阀(2)处于开启状态、第一放气阀(3)处于关闭状态的情况下,第二增压阀(6)处于关闭状态、第二放气阀(7)处于开启状态;在第一增压阀(2)处于关闭状态、第一放气阀(3)处于开启状态的情况下,第二增压阀(6)处于开启状态、第二放气阀(7)处于关闭状态。
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