[发明专利]一种晶圆翘曲处理的装置及方法有效
申请号: | 201410763661.X | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN104538331B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 丁万春 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 226004 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载台 晶圆 翘曲 种晶 气体抽取装置 密封腔 气体输入装置 氮气 处理装置 顶部设置 惰性气体 晶圆翘曲 密封环境 施加压力 移动手臂 上表面 对扣 吸附 连通 密封 抽取 承载 | ||
1.一种晶圆翘曲处理的装置,包括承载台(1),发生翘曲的晶圆(2)位于承载台(1)之上;其特征在于,还包括:位于承载台(1)上的密封装置(3),所述密封装置(3)与承载台(1)上下对扣密封形成密封腔(4);所述密封装置(3)上安装有气体输入装置(6),所述气体输入装置(6)下部设置有气体喷嘴(61);气体通过所述气体喷嘴(61)喷出,进而对所述晶圆施加朝向所述承载台方向的压力;所述密封装置(3)内还设有气体引导板(8),所述气体引导板(8)与所述密封装置(3)的连接处低于所述气体输入装置(6)的气体喷嘴(61),所述引导板(8)从密封装置周沿往密封腔(4)内延伸,呈倒喇叭状或者呈倒圆锥筒状,其下部的开口位于圆片(2)的中央上方。
2.如权利要求1所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:密封腔(4)内充有惰性气体或者氮气。
3.如权利要求1或2所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:所述密封装置(3)由金属材料制成。
4.如权利要求3所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:密封装置(3)为与承载台(1)相配套的形状,其内尺寸大于晶圆(2)的直径。
5.如权利要求4所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:密封装置(3)与承载台(1)的对扣处设置有密封组件(5)。
6.如权利要求5所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:所述密封组件(5)为O形橡胶圈。
7.如权利要求6所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:所述密封组件(5)固定设置在承载台(1)之上,密封组件(5)上部开设有与密封装置(3)对应的凹槽(51)。
8.如权利要求5所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:所述密封组件(5)固定设置在密封装置(3)的下沿,密封组件(5)下部开设有与密封装置(3)对应的凹槽(52),承载台(1)上设有与凹槽(52)相对应的卡槽(11)。
9.如权利要求1-2、4-8任意一项所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:所述如权利要求1所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:所述气体输入装置(6)穿过密封装置(3)的顶部往下延伸到密封腔(4)内。
10.如权利要求1所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:所述气体输入装置(6)设置在密封装置(3)的侧壁顶部。
11.如权利要求10所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:所述气体输入装置(6)至少为一个,沿密封装置(3)的侧壁顶部均匀分布。
12.如权利要求1所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:引导板(8)将密封腔(4)隔离两个腔。
13.如权利要求1-2、4-8、10-12任意一项所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:所述承载台(1)下部设有气体抽取装置(9),气体抽取装置(9)与承载台(1)连通。
14.如权利要求1所述的晶圆翘曲处理的装置,其特征在于:所述密封装置(3)顶部设置有移动手臂(11)。
15.一种晶圆翘曲处理的装置,包括承载台(1),发生翘曲的晶圆(2)位于承载台(1)之上;其特征在于,所述承载台(1)上设置有侧壁(12),侧壁(12)上设有与之配套的上腔盖板(13),所述上腔盖板(13)上有气体输入装置(6),所述气体输入装置(6)下部设置有气体喷嘴(61);气体通过所述气体喷嘴(6)喷出,进而对所述晶圆施加朝向所述承载台方向的压力;所述侧壁(12)上设有气体引导板,气体引导板与侧壁的连接处低于气体输入装置6的气体喷嘴;引导板从密封装置周沿往密封腔内延伸,呈倒喇叭状或者呈倒圆锥筒状,其下部的开口位于圆片(2)的中央上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造