[发明专利]一种聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法，其特征在于所述方法步骤如下：

（一）前处理：

（1）在60～90℃环境中，将硅基底在浓硫酸和双氧水的混合溶液中浸泡30～90分钟；

（2）将硅基底用丙酮超声波清洗10～30分钟，重复1～2次；再用酒精超声波清洗10～30分钟，重复1～2次；最后用去离子水超声波清洗10～30分钟，重复1～2次；

（二）镀制工艺：

（1）开启旋涂机盖，将硅基底置于真空吸盘上，使硅片的中心正对吸盘的中心；

（2）开启真空泵，将吸盘内抽为真空，固定硅基底；

（3）使用注射器将聚四氟乙烯分散液均匀涂抹在硅片上； 

（4）通入氮气，关闭旋涂机盖，对工作腔进行保护，保证腔体内部洁净，控制腔体内温度为15~25℃、相对湿度为20~80%；；

（5）设计旋涂机工作流程，第一阶段旋转速度为500～1000rpm，时间为10～20s，第二阶段旋涂速度为2500～5000rpm，时间为15～60s，第三阶段为500～1000rpm，时间为5～20s；开启运行按钮，开始对硅片表面进行旋涂镀膜；

（三）后处理：

将镀有均匀聚四氟乙烯膜层的硅片，放入250～500℃的马弗炉中，退火处理30～130分钟，使膜层中的水分全部蒸干。

2.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法，其特征在于所述浓硫酸和双氧水的体积比为2～4:1。

3.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法，其特征在于所述吸盘内真空度为1～10Pa。

4.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法，其特征在于所述聚四氟乙烯分散液在硅片表面涂抹量为10~50 μl/cm²。

5.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法，其特征在于所述聚四氟乙烯膜层的厚度为1~5μm。