[发明专利]一种PEDOT /甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法在审
| 申请号: | 201410761757.2 | 申请日: | 2014-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN104458858A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | 李利军;崔福海 | 申请(专利权)人: | 广西科技大学 |
| 主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
| 代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 牟彩萍 |
| 地址: | 545006 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 pedot 甲基丙烯酸 制备 分子 印迹 修饰 电极 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种分子印迹聚合物修饰玻碳电极的制备方法。
背景技术
分子印迹聚合物(MIPs)是一种针对某种分子具有特异性识别能力的高聚物材料,由于它具有构效预定性、特异选择性、实施简便等诸多优点,在色谱分离、固相萃取、食品、膜分离、仿生传感、毛细管电色谱以及临床药物等领域均有广泛应用。
PEDOT(聚3, 4乙撑二氧噻吩) 是一种杂环类导电聚合物,自20世纪90年代由德国Bayer A G实验室首次合成以来,人们对其结构特征、制备机理、电催化、电致变色性能和实际应用等开展了广泛的研究。单体特殊的结构使PEDOT具有很多特性,主要包括以下几方面:
(1)噻吩基的3, 4 2位取代能阻止单体聚合时A与B位和B与B位交联,使PEDOT更易形成线性共轭结构。
(2) 2个与噻吩基联接的氧能与S 原子形成很弱的O, S键,这种键促进了PEDOT 分子的平面化和离域P 电子平均化,使分子能隙减小。
(3)氧的强供电性使聚合电压大幅下降且PEDOT 氧化态极其稳定。
PEDOT 因具有优良的导电性在很多方面有广阔的应用前景,如有机光发射二极管、超级电容器、光学衰减器等。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有的缺陷,提供了一种PEDOT /甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案来具体实现:
一种PEDOT /甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法,包括如下步骤:
1)电极的预处理
将玻碳电极分别用金相砂纸打磨,再用0.5和0.3μm A12O3 粉抛光至镜面,冲洗掉多余的抛光粉后依次用水、1:1硝酸溶液、无水乙醇和水、水超声清洗;
2)电极的制备
将PEDOT、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA按一定体积比振荡混合得到均一、稳定的复合物溶液,然后将用移液枪吸取上述溶液滴在玻碳电极的表面,放置在60℃的恒温干燥箱中,即可得到PEDOT/甲基丙烯酸修饰的玻碳电极。
优选的,所述PEDOT、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA的体积比为4:2:3:3。
本发明的有益效果:
本发明以PEDOT为模板分子,甲基丙烯酸为功能单体(MMA)为功能单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,二甲基丙烯酸乙二醇酯(EGDMA)为交联剂,采用热聚合制备分子印迹膜电化学传感器,成功在玻碳电极表面制备了分子印迹膜。本方法制备的电极对PEDOT具有较高的选择性和较大的灵敏度,该印迹膜传感器的线性范围是1.5×10-6~3.0×10-5 mol/l,检出限为7.6×10-7mol/l。
具体实施方式
以下对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。
PEDOT/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法
1)电极的预处理
将玻碳电极分别用金相砂纸打磨,再用0.5和0.3μm A12O3 粉抛光至镜面,冲洗掉多余的抛光粉后依次用水、1:1硝酸溶液、无水乙醇和水、水超声清洗;然后将其置于0.1 mol/L H2SO4溶液中进行CV扫描(-0.6~+0.8 V),直至得到稳定的循环伏安曲线,室温晾干待用。
2)电极的制备
将PEDOT、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA按4:2:3:3的体积比振荡混合得到均一、稳定的复合物溶液,超声振荡使其混匀。然后将用移液枪吸取上述溶液滴在玻碳电极的表面,放置在60℃的恒温干燥箱中,即可得到PEDOT/甲基丙烯酸修饰的玻碳电极。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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