[发明专利]一种白光半导体激光器

权利要求书

1.一种白光半导体激光器，其特征在于，包括：蓝宝石衬底、缓冲层、三个外延生长层、波长合束器；

所述蓝宝石衬底为基板，依次覆上所述缓冲层和所述三个外延生长层；

所述三个外延生长层作为有源区，激射出的三种波长的光；

所述波长合束器将所述三种波长的光合束形成白光；

其中：

所述三个外延生长层分别为：红光外延生长层、绿光外延生长层和蓝光外延生长层；在每个外延生长层的N面电极接触层生长相应的N型电极，在每个外延生长层的P面电极接触层生长相应的P型电极；每个外延生长层从下往上依次包括N面电极接触层、保护层、N面包层、N面波导层、有源区、P面电子阻挡层、P面波导层、P面包层、P面电极接触层；所述三个外延生长层是采用金属有机化合物化学气相淀积的方式逐层沉积于所述蓝宝石衬底上方；所述P型电极和N型电极是在每个外延生长层上经光刻腐蚀、蒸发或溅射的方法覆盖一层或多层金属，然后再进行合金化形成的低阻金属；

所述波长合束器包括：快轴准直镜、慢轴准直镜、透镜和色散元件；

其中，所述快轴准直镜用于准直快轴方向的光束，所述慢轴准直镜用于准直慢轴方向的光束，所述透镜用于将所述快轴准直镜和所述慢轴准直镜准直的光束聚焦到所述色散元件上，所述色散元件将所述光束合束成白光。

2.如权利要求1所述的白光半导体激光器，其特征在于，

所述色散元件为棱镜或者光栅。

3.如权利要求1所述的白光半导体激光器，其特征在于，

所述缓冲层的材质为GaN，厚度为0.03μm。

4.如权利要求1所述的白光半导体激光器，其特征在于，

所述蓝宝石衬底为三方晶系，折光率为1.76-1.77。

5.如权利要求1所述的白光半导体激光器，其特征在于，

所述保护层的材质为In_0.1Ga_0.9N，厚度为0.1μm。

6.如权利要求1所述的白光半导体激光器，其特征在于，

所述P面电子阻挡层的材质为Al_0.2Ga_0.8N，厚度为0.02μm。

7.如权利要求1所述的白光半导体激光器，其特征在于，

所述N面包层和所述P面包层的材质为Al_0.15Ga_0.85N，厚度为0.4μm。

8.如权利要求1所述的白光半导体激光器，其特征在于，

所述N面波导层和所述P面波导层的材质为GaN，厚度为0.1μm。

9.如权利要求1所述的白光半导体激光器，其特征在于，

对每个外延生长层N型电极和P型电极进行蒸镀处理，然后采用PVD的方法将电极以外的部分覆盖SiN/SiO₂绝缘层。