[发明专利]一种双波长镓氮基半导体激光芯片结构在审
| 申请号： | 201410759284.2 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104409966A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 尧舜;雷宇鑫;王智勇;邱运涛;贾冠男;高祥宇;吕朝蕙 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 王秀丽 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波长 镓氮基 半导体 激光 芯片 结构 | ||
1.一种双波长镓氮基半导体激光芯片结构，其特征在于，包括：蓝宝石衬底、缓冲层、两个外延生长层；
所述蓝宝石衬底为基板，依次覆上缓冲层和两个外延生长层；
所述两个外延生长层是采用金属有机化合物化学气相淀积的方式逐层沉积于所述蓝宝石衬底上方；
其中，每个外延生长层从下往上依次包括N面电极接触层、保护层、N面包层、N面波导层、有源区、P面电子阻挡层、P面波导层、P面包层、P面电极接触层；
在每个外延生长层的N面电极接触层生长相应的N型电极，在每个外延生长层的P面电极接触层生长相应的P型电极；
所述P型电极和N型电极是在每个外延生长层上经光刻腐蚀、蒸发或溅射的方法覆盖一层或多层金属，然后再进行合金化形成的低阻金属。
2.如权利要求1所述的双波长镓氮基半导体激光芯片结构，其特征在于，
双波长镓氮基半导体激光芯片结构的外延生长层从缓冲层开始分别为：绿光外延生长层和蓝光外延生长层。
3.如权利要求1所述的双波长镓氮基半导体激光芯片结构，其特征在于，
所述缓冲层的材质为GaN，厚度为0.03μm。
4.如权利要求1所述的双波长镓氮基半导体激光芯片结构，其特征在于，
所述蓝宝石衬底为三方晶系，折光率为1.76-1.77。
5.如权利要求1所述的双波长镓氮基半导体激光芯片结构，其特征在于，
所述保护层的材质为In0.1Ga0.9N，厚度为0.1μm。
6.如权利要求1所述的双波长镓氮基半导体激光芯片结构，其特征在于，
所述P面电子阻挡层的材质为Al0.2Ga0.8N，厚度为0.02μm。
7.如权利要求1所述的双波长镓氮基半导体激光芯片结构，其特征在于，
所述N面包层和所述P面包层的材质为Al0.15Ga0.85N，厚度为0.4μm。
8.如权利要求1所述的双波长镓氮基半导体激光芯片结构，其特征在于，
所述N面波导层和所述P面波导层的材质为GaN，厚度为0.1μm。
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