[发明专利]基于俄歇电子注入的超低电压OLED器件

权利要求书

1.一种俄歇电子产生层，由电子受体层和电子给体层组成，其特征在于电子受体层由具备高空穴迁移率和较窄带隙的材料构成，电子给体层由具备高电子迁移率和较深最低未占据轨道能级的材料构成。

2.如权利要求1所述的俄歇电子产生层，其中所述的电子受体层材料为5,6,11,12-四苯基并四苯、并五苯、并四苯的其中一种。

3.如权利要求1所述的俄歇电子产生层，其中所述的电子给体层材料为富勒烯、富勒烯衍生物、3,4,9,10－苝四甲酰二亚胺、B4PyPPM的其中一种。

4.如权利要求1所述的俄歇电子产生层，其特征在于所述俄歇电子产生层的厚度为3~5nm。

5.一种基于俄歇电子注入的超低电压OLED器件，由基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、俄歇电子产生层、电子传输层、电子注入层、阴极组成，其特征在于在发光层和电子传输层之间设置有如权利要求1所述的俄歇电子产生层。

6.如权利要求5所述的基于俄歇电子注入的超低电压OLED器件，其特征在于该器件的开启电压低于发光材料的带隙。