[发明专利]一种性能高的电子封装用SiC／Al复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种性能高的电子封装用SiC／Al复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

a.混合：将SiC粉与Al粉混合；

b.制坯：将上述粉末压制成圆柱形坯体；

c.烧结：将圆柱形坯体在高温下进行烧结、热压；

d.半固态触变：将上述烧结处理后的坯体经过半固态触变处理，即得。

2.根据权利要求1所述的一种性能高的电子封装用SiC／Al复合材料的制备方法，其特征在于：所述a.混合步骤中，SiC粉与Al粉体积比为3：（7.5~8.5）。

3.根据权利要求1所述的一种性能高的电子封装用SiC／Al复合材料的制备方法，其特征在于：所述b.制坯步骤中，压制成圆柱形坯体采用220~250Mpa压制压力。

4.根据权利要求1所述的一种性能高的电子封装用SiC／Al复合材料的制备方法，其特征在于：所述c.烧结步骤中，采用460~480℃处理15~20min，再620~650℃处理65~80min的烧结方式，并采用650~700℃、135~150Mpa的参数进行热压处理。

5.根据权利要求1所述的一种性能高的电子封装用SiC／Al复合材料的制备方法，其特征在于：所述d.半固态触变步骤中，半固态触变处理采用780~800℃，130~140Mpa，8~8.5mm／s的变形温度，变形压力和变形速度参数。