[发明专利]金属间合物填充材料的转接板的制造工艺

权利要求书

1.一种金属间合物填充材料的转接板的制造工艺，其特征是，包括以下步骤：

第一步：在硅转接板（1）上刻蚀盲孔（2）；

第二步：在硅转接板（1）的表面和盲孔（2）的内表面沉积绝缘层（8）和铜层（9），绝缘层（8）的厚度为10 nm～10μm，铜层（9）的厚度为10 nm～10μm；

第三步：将Cu颗粒掺杂的液态钎料填充到盲孔（2）中， Cu颗粒的掺杂量为50%～90%，Cu颗粒的粒径为1微米～50微米；

第四步：回流后形成金属间化合物（5），回流过程中：升温至220～300℃，并在220℃以上停留30秒后，再降温至常温；

第五步，将硅转接板（1）表面的铜层（8）去除，保留绝缘层（8）；

第六步：在硅转接板（1）的正面制作RDL层（3）和微凸点（4）；

第七步：在硅转接板（1）的背面进行减薄工艺，露出金属间化合物（5）的底部；

第八步：在硅转接板（1）的背面制作背面RDL层（6）和背面微凸点（7），从而完成转接板的制作。

2.如权利要求1所述的金属间合物填充材料的转接板的制造工艺，其特征是：所述绝缘层（8）的材料为氧化硅、氮化硅、多晶硅、聚酰亚胺或特氟龙塑料。

3.如权利要求1所述的金属间合物填充材料的转接板的制造工艺，其特征是：所述液态钎料采用Sn、SnPb、SnAg、SnAgCu或SnCu。

4.如权利要求1所述的金属间合物填充材料的转接板的制造工艺，其特征是：所述RDL层（3）和背面RDL层（6）的材质为铜。

5.如权利要求1所述的金属间合物填充材料的转接板的制造工艺，其特征是：所述微凸点（4）的材质为Sn、SnAg、Cu+Sn或者Cu/SnAg。