[发明专利]一种占空比调整方法及电路

说明书

技术领域

本发明属于为集成电路技术领域，涉及一种占空比调整方法及电路。

背景技术

随着集成电路的不断发展，系统对高速时钟信号的要求越来越高，占空比成为衡量时钟信号一个比较重要的指标。占空比50％表示高电平的时钟周期宽度等于低电平时钟周期宽度，尤其在数据进行双采样的情况下，即在时钟的上升沿和下降沿均采用时，占空比50％是很重要的指标。一般地，占空比调整电路可分为数字调整和模拟调整，数字调整电路的调整时间较快，但调整精度和调整范围有限，模拟调整电路结构简单，调整精度高，调整范围宽。

发明内容

本发明提供一种占空比调整方法及电路，采用模拟电路方法，利用比较电路将输出电压信号与参考信号比较，产生反馈信号作用于占空比调整电路，使占空比达到50％。

本发明的具体技术解决方案如下：

一种占空比调整电路，其特殊之处在于：包括电流源电路、滤波电路、比较电路和调整电路；

所述电流源电路用于向比较电路提供一个基准电流；

所述滤波电路用于将要调整的差分时钟信号转换为直流信号(Vin_p，Vin_m)，并送入比较电路；

所述比较电路用于将直流信号(Vin_p，Vin_m)与外部提供的参考电压信号Vref进行比较，产生反馈电压信号(Vc_p，Vc_m)，并送入调整电路；所述调整电路用于在反馈电压信号(Vc_p，Vc_m)作用下，改变差分时钟信号(Clk_p，Clk_m)的上升时间和下降时间，再经过反相器整形得到占空比为50％的输出差分时钟信号(out_p，out_m)。

上述比较电路包括PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15和NMOS管M16；

PMOS管M4的源端接电流源电路，PMOS管M4的栅端接直流信号Vin_p，PMOS管M4的漏端接NMOS管M13的漏端；PMOS管M5的源端接电流源电路，PMOS管M5的栅端接直流信号Vin_p，PMOS管M5的漏端接NMOS管M14的漏端和PMOS管M7的漏端，PMOS管M6的源端接电流源电路，PMOS管M6的栅端接参考电压信号Vref，PMOS管M6的漏端接NMOS管M16的漏端和栅端；PMOS管M7的源端接电流源电路，PMOS管M7的栅端接直流信号Vin_m；PMOS管M8的源端接电流源电路，PMOS管M8的栅端接直流信号Vin_m，PMOS管M8的漏端接NMOS管M15的漏端；

NMOS管M16的源端接地；NMOS管M13的栅端、NMOS管M14的栅端和NMOS管M15的栅端连接，NMOS管M13的漏端、NMOS管M14的漏端和NMOS管M15的漏端均接地；

上述调整电路包括第一调整单元和第二调整单元，所述第一调整单元包括PMOS管M9、NMOS管M11和反相器inv1，所述PMOS管M9的源端接电源，PMOS管M9的栅端接反馈电压信号Vc_p，PMOS管M9的漏端和NMOS管M11的漏端均与反相器inv1的输入端连接；NMOS管M11的栅端接时钟信号Clk_p，NMOS管M11的源端接地，反相器inv1的输出端与滤波电路的输入端连接；

上述第二调整单元包括PMOS管M10、NMOS管M12和反相器inv2，所述PMOS管M10的源端接电源，PMOS管M12的栅端接反馈电压信号Vc_m，PMOS管M10的漏端和NMOS管M12的漏端均与反相器inv2的输入端连接；NMOS管M12的栅端接时钟信号Clk_m，NMOS管M12的源端接地，反相器inv2的输出端与滤波电路的输入端连接；

一种占空比调整方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：

1]设置基准电流：

采用电流镜结构，根据比较电路所需电流大小，确定电流源电路中晶体管的尺寸和比例，为比较电路提供基准电流；

2]滤波处理：

要调整的差分时钟信号(clk_m，clk_p)输入至滤波电路(R1、C1)，经滤波电路处理后得到的直流电压信号(Vin_p，Vin_m)，并将直流电压信号(Vin_p，Vin_m)送入至比较电路；

3]比较、调整：

直流电压信号(Vin_p，Vin_m)，分别与外部提供的参考电压信号vref进行比较，得到反馈电压信号(Vc_p，Vc_m)：。

若直流电压信号(Vin_p，Vin_m)小于参考电压信号vref时，则反馈电压信号(Vc_p，Vc_m)增大，调整电路调整直流电压信号(Vin_p，Vin_m)升高；