[发明专利]一种碳纳米管纤维阵列冷阴极的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管纤维阵列冷阴极的制备方法，其特征在于：通过采用化学气相沉积法在沉积有多层金属催化剂的硅基片上合成超长取向碳纳米管，通过纺丝法对化学气相沉积法合成的碳纳米管进行抽丝和纺丝连续制备取向碳纳米管纤维。然后在导电基板上刻蚀(或激光打孔))制备微孔阵列，然后将纺丝碳纳米管纤维植入微孔阵列内，根据合适的要求裁剪单根纺丝碳纳米管纤维的长度，再将金属纳(微)米粉体制成浆料通过微孔注浆填充导电基板上的微孔阵列，然后将已植入单根纺丝碳纳米管纤维并通过微孔注浆填充导电基板的微孔的导电基板放入真空炉中，在高真空状态或惰性气体保护下在摄氏400～900度进行退火处理，或在氢气气氛下进行氢还原退火处理或惰性气体保护下进行激光烧蚀，经过退火处理或激光烧蚀处理后的导电基板即为碳纳米管纤维阵列冷阴极。

2.如权利要求1所述的一种碳纳米管纤维阵列冷阴极的制备方法，其特征在于：所述的碳纳米管纤维是首先通过采用化学气相沉积法在沉积有多层金属催化剂的硅基片上合成超长取向碳纳米管，然后通过纺丝法对化学气相沉积法合成的碳纳米管进行抽丝和纺丝连续制备的取向碳纳米管纤维。

3.如权利要求1所述的一种碳纳米管纤维阵列冷阴极的制备方法，其特征在于：在导电基板上刻蚀(或激光打孔)制备微孔阵列。

4.如权利要求1和2所述的一种碳纳米管纤维阵列冷阴极的制备方法，其特征在于：将纺丝碳纳米管纤维植入微孔阵列内，根据合适的要求裁剪纺丝碳纳米管纤维的长度。

5.如权利要求1-3所述的一种碳纳米管纤维阵列冷阴极的制备方法，其特征在于：再将金属纳(微)米粉体制成浆料通过微孔注浆填充导电基板上已植入纺丝碳纳米管纤维的微孔阵列内。

6.如权利要求1-5所述的一种碳纳米管纤维阵列冷阴极的制备方法，其特征在于：将已植入纺丝碳纳米管纤维并通过微孔注浆填充导电基板的微孔的导电基板放入真空炉中，在高真空状态或惰性气体保护下在摄氏400～900度进行退火处理，或在氢气气氛下进行氢还原退火处理或惰性气体保护下进行激光烧蚀，经过退火处理或激光烧蚀处理后的导电基板即为碳纳米管纤维阵列冷阴极。