[发明专利]一种LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法在审
| 申请号: | 201410750758.7 | 申请日: | 2014-12-09 |
| 公开(公告)号: | CN104393154A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
| 发明(设计)人: | 刘胜;郑怀;陈斌;郭醒;雷翔;占必红;王国平;周圣军 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
| 主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/48 |
| 代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 薛玲 |
| 地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 led 芯片级 白光 光源 晶圆级 封装 方法 | ||
1.一种LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法,其特征在于:倒装LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法包括以下步骤:
步骤A1:先将N颗芯片通过固晶工艺集成到晶圆基板片上,或者转移到能够粘结芯片同时也便于剥离的晶圆基板膜上,N≥3;
步骤A2:通过模具挤压成型的方法在晶圆基板片上实施荧光粉涂覆,或者将通过薄膜真空压印的方法在晶圆基板膜上实施荧光粉涂覆;
步骤A3:在完成荧光粉层固化后,在晶圆基板片或晶圆基板膜上进行切割获得单颗芯片级的LED直接白光光源芯片。
2.根据权利要求1所述的LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法,其特征在于:所述的晶圆基板片为LED封装基板,具体为LED封装硅基板、陶瓷基板或印刷电路板;所述的晶圆基板膜为转移用薄膜,具体为PE蓝膜、铜薄膜和铝薄膜。
3.根据权利要求1所述的LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法,其特征在于:所述的实施荧光粉涂覆,其涂覆的荧光粉层材料包括荧光粉材料和胶体材料;所述的荧光粉材料为光至发光材料,具体为YAG、TAG或量子点材料;所述的胶体材料为环氧树脂、硅胶或旋涂玻璃;所述的荧光粉层材料在涂覆时为固态、半固态或液态,浓度为0.01g/ml-3g/ml。
4.根据权利要求1所述的LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法,其特征在于:通过激光或者机械在晶圆基板片或晶圆基板膜上进行切割获得单颗芯片级的LED直接白光光源芯片。
5.一种LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法,其特征在于:正装LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法包括以下步骤:
步骤B1:首先N颗LED芯片在晶圆基板片上完成固晶和金线键合工艺,N≥3;
步骤B2:随后对每颗LED芯片通过涂覆工艺形成一硅胶保护透镜;
步骤B3:接下来通过薄膜真空压印的方法在硅胶保护透镜上涂覆荧光粉层;
步骤B4:最后在晶圆基板片上进行切割获得单颗芯片级的LED直接白光光源芯片。
6.根据权利要求5所述的LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法,其特征在于:所述的晶圆基板片为LED封装基板,具体为LED封装硅基板、陶瓷基板或印刷电路板。
7.根据权利要求5所述的LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法,其特征在于:所述的硅胶保护透镜的制作方法为点胶涂覆或模具法。
8.根据权利要求5所述的LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法,其特征在于:所述的涂覆荧光粉层,其材料包括荧光粉材料和胶体材料;所述的荧光粉材料为光至发光材料,具体为YAG、TAG或量子点材料;所述的胶体材料为环氧树脂、硅胶或旋涂玻璃;所述的荧光粉层材料在涂覆时为固态、半固态或液态,浓度为0.01g/ml-3g/ml。
9.根据权利要求5所述的LED芯片级白光光源的晶圆级封装方法,其特征在于:所述的在晶圆基板片上进行切割,切割方法为机械切割或激光切割。
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