[发明专利]用于等离子处理装置的加热器有效
| 申请号： | 201410749988.1 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105742204B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 万磊;梁洁;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张妍;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 等离子 处理 装置 加热器 | ||
1.一种用于等离子处理装置的加热器，所述等离子处理装置包括反应腔，反应腔顶部为一个绝缘窗，绝缘窗上依次设置有加热器和线圈，其特征在于，所述加热器包括金属屏蔽防护层和加热电阻层，金属屏蔽防护层与加热电阻层之间设有内绝缘层；
所述金属屏蔽防护层完全覆盖加热电阻层，等离子处理装置的线圈发出的射频功率依次穿过金属屏蔽防护层与加热电阻层进入等离子处理装置的反应腔；
所述金属屏蔽防护层的电阻小于电热器的电阻；
所述金属屏蔽防护层与射频功率产生电容耦合。
2.如权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述金属屏蔽防护层的形状结构与加热电阻层的形状结构相同；所述金属屏蔽防护层的面积等于或大于加热电阻层的面积。
3.如权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述金属屏蔽防护层的电阻小于加热电阻层的电阻的二分之一。
4.如权利要求1或3所述的加热器，其特征在于，所述金属屏蔽防护层的电阻比加热电阻层的电阻小两个数量级。
5.如权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述金属屏蔽防护层为薄膜状的金属层，金属屏蔽防护层的材料包含有铝和/或铜。
6.如权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述加热器还包含有外绝缘层，其包覆于金属屏蔽防护层与线圈之间。
7.如权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述加热器还包含有连接层，其设置于加热器朝向绝缘窗的一侧，连接层贴设于绝缘窗上；所述加热器通过连接层连接绝缘窗；所述连接层由绝缘材料制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
