[发明专利]一种共掺杂TiO2压敏陶瓷的方法、共掺杂TiO2压敏电阻及其制备方法

权利要求书

1.一种（Ge、GeO₂、V₂O₅、Y₂O₃）共掺杂TiO₂压敏陶瓷，其特征在于：该（Ge、GeO₂、V₂O₅、Y₂O₃）共掺杂TiO₂压敏陶瓷包括以下质量百分比组分：Ge0.3%、GeO₂0.9％、V₂O₅和Y₂O₃各占0.5％，剩余为TiO₂。

2.一种（Ge、GeO₂、V₂O₅、Y₂O₃）共掺杂TiO₂压敏陶瓷的方法，其特征在于具体步骤如下：

步骤1、首先将Ge、GeO₂、V₂O₅、Y₂O₃加入到TiO₂中得到混合物料，该混合物料中Ge占混合物料摩尔百分比0.3%，GeO₂占混合物料摩尔百分比0.9％，V₂O₅和Y₂O₃各占混合物料摩尔百分比0.5％；

步骤2、将步骤1制备得到的混合物料放置在球磨罐中，加入水和酒精球磨混合8h，将球磨后的混合物料干燥、过筛后造粒、造粒后继续过筛、再用150Mpa的压力将粉料压制成小圆片；

步骤3、将步骤2得到的小圆片逐渐加热到600℃后进行排胶30min，再在1050~1300℃加热烧结并保温3h，最后将烧结好的烧结体冷却到室温，最终制备得到（Ge、GeO₂、V₂O₅、Y₂O₃）共掺杂TiO₂压敏陶瓷。

3.一种（Ge、GeO₂、V₂O₅、Y₂O₃）共掺杂TiO₂压敏电阻的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

步骤1、首先将Ge、GeO₂、V₂O₅、Y₂O₃加入到TiO₂中得到混合物料，该混合物料中Ge占混合物料摩尔百分比0.3%，GeO₂占混合物料摩尔百分比0.9％，V₂O₅和Y₂O₃各占混合物料摩尔百分比0.5％；

步骤2、将步骤1制备得到的混合物料放置在球磨罐中，加入水和酒精球磨混合8h，将球磨后的混合物料干燥、过筛后造粒、造粒后继续过筛、再用150Mpa的压力将粉料压制成小圆片；

步骤3、将步骤2得到的小圆片逐渐加热到600℃后进行排胶30min，再在1050~1300℃加热烧结并保温3h，最后将烧结好的烧结体冷却到室温，最终制备得到（Ge、GeO₂、V₂O₅、Y₂O₃）共掺杂TiO₂压敏陶瓷；

步骤4、将压敏陶瓷进行表面加工，然后被电极，在600℃下烧银，经测试后封装，得到（Ge、GeO₂、V₂O₅、Y₂O₃）共掺杂TiO₂压敏电阻。

4.一种（Ge、GeO₂、V₂O₅、Y₂O₃）共掺杂TiO₂压敏电阻，其特征在于：所述该电阻压敏电压V_1mA为14.7～26.5V/mm，非线性系数α为6.9～12.8，漏电流I_L为10.6～14.5μA，介电常数为（3～5.5）×10⁴，介电损耗值tanδ为0.2～0.5。