[发明专利]一种分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法在审

专利信息
申请号: 201410749015.8 申请日: 2014-12-08
公开(公告)号: CN105740202A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 陈如山;丁大志;樊振宏;呼延龙 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: G06F17/10 分类号: G06F17/10
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 分析 等离子体 电磁 散射 特性 时域 积分 方程 方法
【权利要求书】:

1.一种分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法,其特征在于,步骤如下:

步骤1,建立时域体积分方程:根据结构散射特性,被激励目标上的总电场等于入射电场与散射电场之和,入射电场为已知激励;

步骤2,离散时域积分方程,并对离散后的积分方程进行空间和时间上的测试,建立时域矩阵方程;

步骤3,建立色散等离子体中电通量密度与电场强度之间的关系;

步骤4,求解时域矩阵方程,分析宽频带内等离子体材料电磁散射特性。

2.根据权利要求1所述的分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法,其特征在于,步骤1中所述建立时域体积分方程,具体如下:

设待求解目标为等离子体材料,用调制高斯脉冲激励待求解目标,等离子体内产生极化体电流Jv(r,t),由于总电场等于入射电场与散射电场之和,得到分析等离子体材料的时域时间步进电场积分方程形式如下:

E(r,t)=Ei(r,t)+Es(r,t)(1)

其中,Ei(r,t)表示入射电场,Es(r,t)表示散射电场,E(r,t)表示总电场,具体表达式为:

E(r,t)=Ei(r,t)+Es(r,t)=Ei(r,t)-μ04πVdv(t2I-c2)1R·[D(r',τ)-ϵ0E(r',τ)]=Ei(r,t)-L{D}(r,t)+ϵ0L{E}(r,t)---(2)]]>

其中,

L{X}(r,t)=.Vdv(t2I-c2)1R·X(r',t-Rc)---(3)]]>

式中,ε0表示自由空间的介电常数,μ0表示自由空间的磁导率,为单位并矢,r为场点,r′为源点,R=r-r′为场源点之间位置矢量D(r,t)表示电通量密度,R=|R|=|r-r′|,表示光速,t表示时间,v为介质体积分区域。

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