[发明专利]一种双引线框架叠合设计半导体器件封装方法

权利要求书

1.一种双引线框架叠合设计半导体器件封装方法，其特征在于，包括：

提供第一引线框架，所述第一引线框架包括：

第一芯片座，用于倒装第一芯片，

至少一个第一芯片栅极管脚，所述第一芯片座上开设有一切口，所述第一芯片栅极管脚延伸至所述切口处，

第二芯片座，用于正装第二芯片，

至少一个第二芯片漏极管脚，所述第二芯片漏极管脚与所述第二芯片座连接，

至少一个第二芯片栅极管脚，

第一引线框架外框，所述第一芯片座和所述第二芯片座分别通过至少一个连杆与所述第一引线框架外框连接，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚和所述第二芯片栅极管脚分别与所述第一引线框架外框连接；

将第一芯片倒装在所述第一芯片座及第一芯片栅极管脚上，将第二芯片正装在所述第二芯片座上，所述第一芯片座与所述第一芯片的源极连接，所述第一芯片栅极管脚与所述第一芯片的栅极连接，所述第二芯片座与所述第二芯片的漏极连接，所述第二芯片栅极管脚与第二芯片的栅极连接；

提供第二引线框架，所述第二引线框架包括：

铜桥，所述铜桥边缘设置有至少一个测量观测孔，所述测量观测孔内侧的铜桥上设置有至少一个溢流孔，

至少一个第二引线框架管脚，所述第二引线框架管脚与所述铜桥连接，

第二引线框架外框，所述第二引线框架管脚与所述第二引线框架外框连接；

将所述第二引线框架组装在所述第一引线框架之上，所述第二引线框架的铜桥连接所述第一芯片的漏极和所述第二芯片的源极；

焊接导线，所述导线连接所述第一引线框架的第二芯片栅极管脚和所述第二芯片的栅极。

2.根据权利要求1所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装方法，其特征在于，所述将第一芯片倒装在所述第一芯片座及第一芯片栅极管脚上，将第二芯片正装在所述第二芯片座上包括：

在所述第一芯片座、所述第一芯片栅极管脚和所述第二芯片座之上制备导电结合材；

将所述第一芯片倒放在所述第一芯片座上的导电结合材之上，将所述第二芯片正放在所述第二芯片座上的导电结合材之上，

所述将所述第二引线框架组装在所述第一引线框架之上包括：

在所述第一芯片和所述第二芯片之上制备导电结合材，

将所述第二引线框架叠放在所述第一引线框架之上，

采用回流焊技术将所述第一芯片倒装在所述第一芯片座及所述第一芯片栅极管脚上，将所述第二芯片正装在所述第二芯片座上，并将所述第二引线框架组装在所述第一引线框架之上。

3.根据权利要求2所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装方法，其特征在于，所述将所述第二引线框架组装在所述第一引线框架之上之后，所述焊接导线之前还包括：

对将所述第二引线框架组装在所述第一引线框架之上得到的半导体器件进行助焊剂清洗和等离子清洗。

4.根据权利要求1-3任一所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装方法，其特征在于，所述提供第一引线框架之前还包括：

对晶圆进行切割，以得到多个芯片，

所述提供第一引线框架具体包括：

提供第一引线框架组，所述第一引线框架组包括多排多列连接的所述第一引线框架，

所述提供第二引线框架具体包括：

提供第二引线框架组，所述第二引线框架组包括多排多列连接的所述第二引线框架，

所述焊接导线之后还包括：

对焊接导线之后得到的半导体器件进行注塑成型，形成注塑体；

沿着所述注塑体的边缘对注塑成型后的半导体器件进行切割分离。

5.根据权利要求4所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装方法，其特征在于，所述对焊接导线之后得到的半导体器件进行注塑成型之后，所述对注塑成型后的半导体器件进行切割分离之前还包括：

对注塑成型后的半导体器件进行第一烘烤和电镀，

所述对注塑成型后的半导体器件进行切割分离之后还包括：

对切割分离后的半导体器件进行第二烘烤、测试和包装。