[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一垂直沟道层和第二垂直沟道层，其垂直地耦接在半导体衬底和位线之间；

第三垂直沟道层和第四垂直沟道层，其垂直地耦接在所述半导体衬底和公共源极线之间；

第一多层导电层和第二多层导电层，其层叠在所述半导体衬底之上，以分别包围所述第一垂直沟道层的一侧和所述第二垂直沟道层的一侧；

第三多层导电层和第四多层导电层，其层叠在所述半导体衬底之上，以分别包围所述第三垂直沟道层的一侧和所述第四垂直沟道层的一侧；

第一电荷储存层，其形成在所述第一垂直沟道层至所述第四垂直沟道层与所述第一多层导电层至所述第四多层导电层之间；

第一管道沟道层，其形成在所述半导体衬底中，以使所述第一垂直沟道层和所述第四垂直沟道层的下部耦接；以及

第二管道沟道层，其形成在所述半导体衬底中，以使所述第二垂直沟道层和所述第三垂直沟道层的下部耦接，

其中，所述第一多层导电层至所述第四多层导电层彼此分开。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一垂直沟道层至所述第四垂直沟道层分别被所述第一多层导电层至所述第四多层导电层包围的一侧是圆的，而所述第一垂直沟道层至所述第四垂直沟道层的另一侧是平的。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一垂直沟道层和所述第二垂直沟道层的另一侧彼此面对，以及

所述第三垂直沟道层和所述第四垂直沟道层的另一侧彼此面对。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一管道沟道层形成在所述第二管道沟道层之下。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一多层导电层和所述第三多层导电层的最上面的导电层分别与所述第二多层导电层和所述第四多层导电层的最上面的导电层分开，并且所述第一多层导电层和所述第三多层导电层的其他导电层分别与所述第二多层导电层和所述第四多层导电层的其他导电层分开。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一多层导电层和所述第二多层导电层的最上面的导电层包括漏极选择线，以及

所述第三多层导电层和所述第四多层导电层的最上面的导电层包括源极选择线，以及

所述第一多层导电层至所述第四多层导电层的其他导电层包括字线。

7.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第五垂直沟道层和第六垂直沟道层，其垂直地耦接在所述半导体衬底和所述公共源极线之间；

第七垂直沟道层和第八垂直沟道层，其垂直地耦接在所述半导体衬底和所述位线之间；

第五多层导电层和第六多层导电层，其层叠在所述半导体衬底之上，以分别包围所述第五垂直沟道层的一侧和所述第六垂直沟道层的一侧；

第七多层导电层和第八多层导电层，其层叠在所述半导体衬底之上，以分别包围所述第七垂直沟道层的一侧和所述第八垂直沟道层的一侧；

第二电荷储存层，其形成在所述第五垂直沟道层至所述第八垂直沟道层与所述第五多层导电层至所述第八多层导电层之间；

第三管道沟道层，其形成在所述半导体衬底中，以使所述第五垂直沟道层和所述第八垂直沟道层的下部耦接；以及

第四管道沟道层，其形成在所述半导体衬底中，以使所述第六垂直沟道层和所述第七垂直沟道层的下部耦接。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一多层导电层和所述第二多层导电层的除了最上面的导电层之外的其他导电层分别与所述第七多层导电层和所述第八多层导电层的除了最上面的导电层之外的其他导电层耦接，以及

所述第三多层导电层的除了最上面的导电层之外的其他导电层分别与所述第六多层导电层的除了最上面的导电层之外的其他导电层耦接。