[发明专利]载体和用于加工载体的方法

说明书

技术领域

本发明的各种实施例大体上涉及载体和用于加工载体的方法。

背景技术

一般来说，在微电子学、微系统学、生物医学以及其它领域中，存在针对薄芯片或超薄芯片的各种应用，这类芯片形成在例如具有在约几十微米范围内的厚度的载体上。另外，可以利用各种工艺来在载体中设置电隔离区域。常用工艺例如可以允许形成所谓的绝缘体上硅(SOI)结构或悬空硅(SON)结构，其中薄硅区域可以与载体分隔。该绝缘体上硅技术例如可以包括在载体内形成掩埋氧化物层(buried oxide layer)，从而设置在掩埋氧化物层之上的电隔离薄硅区域。悬空硅结构可以通过以硅技术构造所谓的真空空间(empty space)来设置。然而，首先，实施用于制造电隔离载体区域的常用工艺，首先可能例如需要承担用于在载体中设置特定结构的高成本，其次复杂工艺可能倾向于发生错误从而导致例如缺陷结构。

发明内容

根据本发明的各种实施例，可以提供一种载体，该载体包括：中空腔室(hollow chamber)，与载体的表面间隔开来；沟槽结构，从载体的表面延伸至该中空腔室并且横向环绕载体的第一区域，沟槽结构包括从载体的表面延伸至该中空腔室的一个或多个沟槽、以及横穿(intersect)一个或多个沟槽并且将载体的第一区域与载体在沟槽结构外部的第二区域连接的一个或多个支撑结构，其中该一个或多个支撑结构包括电绝缘(electrically insulating)材料。

附图说明

在附图中，相似参考符号贯穿不同附图大体上指相同的部分。附图并不必按比例绘制，而是将重点大体上放在说明本发明的原理方面。在以下描述中，本发明的各种实施例是参考附图进行描述，在附图中：

图1A示出根据本发明的各种实施例的载体的示意性截面图或侧视图；

图1B示出根据本发明的各种实施例的载体的示意性俯视图；

图1C示出根据本发明的各种实施例的载体的示意性截面图或侧视图；

图1D示出根据本发明的各种实施例的载体的示意性俯视图；

图1E示出根据本发明的各种实施例的载体的示意性截面图或侧视图；

图2A至图2E分别示出根据本发明的各种实施例的载体的俯视图；

图2F示出根据本发明的各种实施例的载体的扫描电子显微镜图像(SEM图像)；

图3示出根据本发明的各种实施例的一种用于加工载体的方法的示意性流程图；

图4A和图4B分别示出根据本发明的各种实施例在加工期间的载体的截面图或侧视图；

图5A至图5C分别示出根据本发明的各种实施例在加工期间的载体的截面图或侧视图；

图6A和图6B分别示出根据本发明的各种实施例在加工期间的载体的截面图或侧视图；以及

图7示出根据本发明的各种实施例的一种用于加工载体的方法的示意性流程图。

具体实施方式

以下详细描述涉及以说明性方式示出特定细节和其中可以实践本发明的实施例的附图。

本文中使用的词语“示例性”意指“用作示例、实例或者例示”。在本文中任何实施例或设计被描述为“示例性”并不一定被理解为要比其它实施例或设计优选或有利的。

本文中使用的关于形成在一侧或表面“之上”的沉积材料或者将层沉积在载体“之上”而使用的词语“之上”，可以意指沉积材料可以“直接”形成在暗示的侧、表面或者载体“上”，例如与暗示的侧、表面或者载体直接接触。本文中使用的关于形成在一侧或表面“之上”的沉积材料或者将层沉积在载体“之上”而使用的词语“之上”，可以意指沉积材料可以通过使用布置在暗示的侧、表面或者载体与沉积材料之间的一个或多个另外的层，“间接”形成在暗示的侧、表面或者载体“上”。