[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种电子组件及其制造方法，且特别是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

导体结构的图案化制作过程一般以微影蚀刻制作过程来进行。微影蚀刻制作过程是在导体层上覆盖光阻材料，再以具有特定图案的罩幕对光阻材料进行曝光程序。接着，进行显影程序移除部分的光阻材料后，完成图案化光阻层。然后，再以图案化光阻层为罩幕对导体层进行蚀刻程序，并完成具有特定图案的导体结构。在微影蚀刻制作过程中，导体的线宽以及导体间距通常是取决于曝光机的曝光分辨率。

以像素结构中的薄膜晶体管而言，漏极与源极的图案可由微影蚀刻制作过程来定义，其中漏极与源极之间的距离决定了薄膜晶体管的通道长度。然而，受限于曝光机的曝光分辨率，薄膜晶体管的通道长度减少的裕度有限，无法设计出更小的通道长度。或者是，为了达到更小的通道长度，必须采用相移式光罩(PhaseShiftMask，简称PSM)等特殊光罩来达成，如此增加薄膜晶体管的制作成本。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，以缩减信道长度。

本发明另提供一种薄膜晶体管，其具有较小的通道长度。

本发明的薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤。在一基板上形成一栅极。在基板上形成一栅绝缘层，以覆盖栅极。在栅绝缘层上形成一半导体层。在半导体层上形成一导电图案。在半导体层上形成一第一电极与一第二电极，第一电极与第二电极之间具有一第一长度，第一电极为一源极与一漏极中一者，以及第二电极为源极与漏极中另一者。导电图案与第一电极电性连接，导电图案与第二电极之间具有一第二长度，以定义出一通道，其中第二长度小于第一长度。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极形成于导电图案上。

在本发明的一实施例中，上述的导电图案形成于第一电极上。

在本发明的一实施例中，还包括形成一绝缘层，绝缘层覆盖第一电极与第二电极、导电图案以及暴露于第一电极与第二电极之间的半导体层。

在本发明的一实施例中，上述的第一长度介于3um至4um之间，以及第二长度介于1um至3um之间。

本发明的薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一半导体层、一导电图案以及一第一电极与一第二电极。栅极位于一基板上。栅绝缘层位于基板上，以覆盖栅极。半导体层位于栅绝缘层上。导电图案位于半导体层上。第一电极与第二电极位于半导体层上，第一电极与第二电极之间具有一第一长度，第一电极为一源极与一漏极中一者，以及第二电极为源极与漏极中另一者。导电图案与第一电极电性连接，导电图案与第二电极之间具有一第二长度，以定义出一通道，其中第二长度小于第一长度。

在本发明的一实施例中，上述的导电图案位于第一电极与半导体层之间。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极位于导电图案与半导体层之间。

在本发明的一实施例中，还包括一绝缘层，绝缘层覆盖第一电极与第二电极、导电图案以及暴露于第一电极与第二电极之间的半导体层。

在本发明的一实施例中，上述的第一长度介于3um至4um之间，以及第二长度介于1um至3um之间。

基于上述，本发明通过在源极与漏极中一者的上方或下方形成导电图案，使得信道形成于导电图案以及源极与漏极中另一者之间。如此一来，能通过控制导电图案的形成位置来缩减信道长度，以克服目前通道长度受限于曝光机的曝光分辨率问题，且无需使用特殊光罩。此外，由于薄膜晶体管具有高驱动电流，因此能缩减薄膜晶体管的体积，以符合现在所追求窄边框的高分辨率面板。

附图说明

图1A至图1D为本发明一实施例的薄膜晶体管的仰视示意图；

图2A至图2D为沿图1A至图1D的I-I’的剖面示意图；

图3A为本发明一实施例的薄膜晶体管的仰视示意图，以及图3B为沿图3A的I-I’的剖面示意图。

附图标记说明：

10：薄膜晶体管；

CP：导电图案；

E1：第一电极；

E2：第二电极；

GE：栅极；

GI：栅绝缘层；

IL：绝缘层；

L1：第一长度；

L2：第二长度；

S：基板；

SE：半导体层；

CH：通道。

具体实施方式