[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由液晶显示面板、驱动电路以及背光源等组成。液晶显示面板是TFT-LCD的重要部分，其包括阵列基板、彩膜基板以及中间的液晶层三大部分，液晶层的两侧形成有配向膜，其通过成盒工艺前在阵列基板和彩膜基板上进行配向膜(PI)印刷以及配向处理形成。

目前，印刷后的配向膜通常是通过摩擦工艺(Rubbing)进行配向，通过摩擦工艺使配向膜对液晶分子具有配向控制力，保证液晶分子能够沿着正确的方向排列，并形成一定的预倾角，常用的配向处理如图1所示，利用滚筒200外侧的摩擦布100，根据力学原理摩擦基板400上的配向膜300，然而，在摩擦过程中常常会造成静电的产生，其产生的静电会导致基板400上与配线相关的TFT开关失效或者使数据线与扫描线交叉处的绝缘膜击穿造成数据线和扫描线短路，从而造成不良。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够有效避免摩擦工艺中静电对显示基板造成的不良影响。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种显示基板，包括衬底基板以及形成在所述衬底基板上的配向膜，其中，所述衬底基板与所述配向膜之间还形成有用于疏散静电的导电图形。

进一步地，所述导电图形为闭合回路结构。

进一步地，所述衬底基板上形成有多个显示单元，所述导电图形形成在所述衬底基板上所述多个显示单元之外的区域。

进一步地，所述衬底基板上还依次形成有栅极的图形、栅极绝缘层的图形、有源层、源漏极的图形、像素电极的图形以及保护层，所述导电图形形成在所述保护层上，所述配向膜形成在所述导电图形上。

进一步地，还包括形成在所述保护层上的公共电极的图形，所述公共电极与所述导电图形为相同材料且在一次构图工艺中形成。

进一步地，所述衬底基板上还依次形成有黑矩阵的图形、彩色滤光层的图形以及保护层，所述导电图形形成在所述保护层上，所述配向膜形成在所述导电图形上。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一的显示基板。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成用于疏散静电的导电图形；

在所述衬底基板上形成配向膜。

进一步地，所述导电图形为闭合回路结构。

进一步地，所述衬底基板上形成有多个显示单元，所述导电图形形成在所述衬底基板上所述多个显示单元之外的区域。

进一步地，在衬底基板上形成用于疏散静电的导电图形之前还包括：

在所述衬底基板上依次形成栅极的图形、栅极绝缘层的图形、有源层、源漏极的图形、像素电极的图形以及保护层。

进一步地，在衬底基板上形成用于疏散静电的导电图形包括；

在所述保护层上形成透明金属薄膜；

对所述透明金属薄膜进行图案化处理，在所述保护层的第一区域上形成公共电极的图形，在所述保护层的第二区域上形成所述导电图形。

进一步地，在衬底基板上形成用于疏散静电的导电图形之前还包括：

在所述衬底基板上依次形成黑矩阵的图形、彩色滤光层的图形以及保护层。

(三)有益效果

本发明通过在衬底基板与配向膜之间设置导电图形，当采用摩擦工艺对配向膜进行配向时，在摩擦工艺产生的静电可通过该导电图形迅速疏散掉，从而能够有效避免静电对显示基板造成的不良影响。

附图说明

图1是现有技术中采用摩擦工艺对配向膜进行配向处理的示意图；

图2是本发明实施方式提供的一种显示基板的示意图；

图3是本发明实施方式提供的另一种显示基板的示意图；

图4是本发明实施方式提供的又一种显示基板的示意图；

图5是本发明实施方式提供的再一种显示基板的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。