[发明专利]光电子部件和用于制造光电子部件的方法有效
| 申请号: | 201410738195.X | 申请日: | 2014-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN104701344B | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
| 发明(设计)人: | L.迪特马尔;D.梅因霍尔德 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/48;H01L27/15;H01L33/62;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;徐红燕 |
| 地址: | 德国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电子 部件 用于 制造 方法 | ||
光电子部件和用于制造光电子部件的方法。各种实施例涉及一种光电子部件,该光电子部件包括:电子电路结构,该电子电路结构包括电子电路和在电子电路之上设置的金属化结构,金属化结构包括电连接到电子电路的一个或者多个接触焊盘;以及在金属化结构之上设置的光电子结构,光电子结构包括与一个或者多个接触焊盘直接接触的至少一个电极结构,其中电极结构包括无电电镀导电材料。
技术领域
各种实施例一般地涉及一种光电子部件和用于制造光电子部件的方法。
背景技术
一般而言,可以在载体上制造作为例如发光二极管(LED)或者有机发光二极管(OLED)的光电子部件,其中载体取决于发光二极管的类型而对从二极管辐射的光的具体波长可以透明或者可以不透明,例如二极管可以是顶部发射二极管、底部发射二极管、或者向各种方向上发光的二极管。发光二极管可以包括被电致发光材料(例如被所谓的发射极层或者发射极结构)分离的至少两个电极(阳极和阴极),从而可以响应于电流或者在至少两个电极之间施加电场而从发光二极管发光。电极可以包括允许向电致发光材料中传送电荷载流子的导电材料。可以由于例如向电致发光材料中注入电子和空穴的重组而从电致发光材料发光。
发明内容
各种实施例涉及一种光电子部件,其包括:电子电路结构,该电子电路结构包括电子电路和在电子电路之上设置的金属化结构,金属化结构包括电连接到电子电路的一个或者多个接触焊盘(contact pad);以及在金属化结构之上设置的光电子结构,光电子结构包括与一个或者多个接触焊盘直接接触的至少一个电极结构,其中电极结构包括无电电镀导电材料。
附图说明
在附图中,贯穿不同视图,相似参考符号一般指代相同部分。附图不一定按比例、代之以通常着重于举例说明本发明的原理。在以下描述中,参照下面的附图描述本发明的各种实施例,在附图中:
图1A至1C分别在示意截面图或者侧视图中示出根据各种实施例的光电子部件;
图1D在示意截面图或者侧视图中示出根据各种实施例的金属化结构和在金属化结构之上设置的光电子结构;
图2A和2B分别在示意截面图或者侧视图中示出根据各种实施例的金属化结构和在金属化结构之上设置的电极结构;
图3A和3B分别在示意截面图或者侧视图中示出根据各种实施例的金属化结构和在金属化结构之上设置的光电子结构;
图4A和4B分别在示意截面图或者侧视图中示出根据各种实施例的光电子部件;
图4C和4D分别在示意截面图或者侧视图中示出根据各种实施例的光电子部件的详细视图;
图5A至5C分别在示意截面图或者侧视图中示出根据各种实施例的光电子部件;
图6和7分别示出根据各种实施例的用于制造光电子部件的方法的示意流程图;以及
图8和9分别图示出根据各种实施例的不同材料的与入射光的波长相关的光反射率。
具体实施方式
以下详细的描述参照附图,该附图通过例证示出其中可以实施本发明的具体细节和实施例。
词语“示例性”在本文用来意指“用作示例、实例或者例证”。本文描述为“示例性”的任何实施例或者设计不一定被解释为相比于其它实施例或者设计是优选的或者有利的。
关于在侧面或者表面“上面”形成的沉积的材料而使用的词语“上面”在本文可以用来意指沉积的材料可以在暗示的侧面或者表面的“直接上面”被形成、例如与其直接接触。关于在侧面或者表面“上面”形成的沉积的材料而使用的词语“上面”在本文可以用来意指沉积的材料可以在暗示的侧面或者表面的“间接上面”被形成,其中一个或者多个附加层被布置在暗示的侧面或者表面与沉积的材料之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





