[发明专利]一种超薄玻璃转接板的制作方法有效
申请号: | 201410738063.7 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN104485288A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 林来存;王启东;邱德龙 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 韩国胜;徐鹏飞 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道20*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超薄 玻璃 转接 制作方法 | ||
1.一种超薄玻璃转接板的制作方法,其特征在于,其包括以下步骤:
1)清洗硅基载片并在硅基载片上制作铜质的种子层;
2)在所述金属种子层的上方涂一定厚度的光刻胶,经光刻工艺后,形成超高密度、极小尺寸的盲孔结构;
3)采用自底向上的电镀工艺,制作无缝填充于盲孔中的金属铜柱;
4)去除光刻胶和种子层并进行热退火处理,此时硅基载片上形成金属铜柱;
5)采用玻璃回流工艺,使得软化玻璃材料完全包围金属铜柱,形成无缝接触结构,
6)对回流后的玻璃材料进行平坦化并露出金属铜柱;
7)制作顶层布线并集成器件;然后去除硅基载片,制作底层布线。
2.根据权利要求1所述的超薄玻璃转接板的制作方法,其特征在于,所述步骤1)中的种子层通过化学镀或物理气相沉淀的任一种表面处理工艺制作。
3.根据权利要求1所述的超薄玻璃转接板的制作方法,其特征在于,所述步骤1)中的种子层厚度为200-500nm。
4.根据权利要求1所述的超薄玻璃转接板的制作方法,其特征在于,所述步骤4)中的的热退火处理采用在氮气下,400℃退火30分钟。
5.根据权利要求1所述的超薄玻璃转接板的制作方法,其特征在于,所述步骤5)中的玻璃回流温度低于金属铜柱的熔点。
6.根据权利要求1所述的超薄玻璃转接板的制作方法,其特征在于,所述步骤5)中选用与金属铜柱的热膨胀系数相同或相接近的玻璃材料。
7.根据权利要求1所述的超薄玻璃转接板的制作方法,其特征在于,所述玻璃选用低回流温度的玻璃材料,或者在玻璃回流工艺之前,在金属铜柱上通过物理气相沉淀一层Ti/TiN缓冲层。
8.根据权利要求1所述的超薄玻璃转接板的制作方法,其特征在于,所述步骤6)中采用化学机械抛光工艺,将回流后的玻璃材料进行平坦化。
9.根据权利要求1所述的超薄玻璃转接板的制作方法,其特征在于,所述步骤7)中采用化学机械抛光或湿法工艺去除硅基载片。
10.根据权利要求1-9任一项所述的超薄玻璃转接板的制作方法,其特征在于,所述硅基载片采用晶圆形式的单晶硅片,晶圆或者面板形式的多晶硅片的任一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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