[发明专利]碳化硅的晶体生长方法

权利要求书

1.一种碳化硅的晶体生长方法，其为利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法，其特征在于，

作为Si-C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚，

使所述Si-C溶液中含有金属元素M，所述M为选自以下三组的至少一组中的至少一种金属元素：第一组由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成，第二组由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成，第三组由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn组成，

加热所述坩埚，使源于作为所述坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与所述Si-C溶液接触的坩埚表面的高温区域向所述Si-C溶液内溶出，抑制在与所述Si-C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出，

从所述坩埚的上部使SiC籽晶与所述Si-C溶液接触，从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长，

其中，以形成所述坩埚内的Si-C溶液的温度从上侧向下侧增高的温度分布，同时所述坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布的方式实行所述加热。

2.如权利要求1所述的碳化硅的晶体生长方法，其中，所述金属元素M为选自所述第一组的至少一种金属元素，所述第一组由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成。

3.如权利要求1所述的碳化硅的晶体生长方法，其中，所述金属元素M为选自所述第二组的至少一种金属元素，所述第二组由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成。

4.如权利要求1所述的碳化硅的晶体生长方法，其中，所述金属元素M为选自所述第三组的至少一种金属元素，所述第三组由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn组成。

5.如权利要求1所述的碳化硅的晶体生长方法，其中，所述金属元素M为选自所述第一组的至少一种金属元素M1和选自所述第二组的至少1种金属元素M2，所述第一组由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成，所述第二组由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成。

6.如权利要求1～5中任一项所述的碳化硅的晶体生长方法，其中，将所述金属元素M在所述Si-C溶液中的总含量设为1原子％～80原子％。

7.如权利要求1～5中任一项所述的碳化硅的晶体生长方法，其中，在将所述以SiC为主要成分的坩埚收容在由耐热性碳材料构成的第二坩埚内的状态下进行所述加热。