[发明专利]一种LTCC基板3D叠层结构有效
申请号: | 201410736764.7 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN104538311A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 石伟;李建国;任英哲;肖刚 | 申请(专利权)人: | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710000 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ltcc 基板 结构 | ||
1.一种LTCC基板3D叠层结构,其特征在于,包括:若干堆叠的LTCC基板结构,LTCC基板结构之间通过I/O互联方式和机械连接方式连接;其中,LTCC基板结构包括下基板(1)和上基板(2),上基板(2)扣合于下基板(1)上,下基板(1)与上基板(2)之间形成空腔,下基板(1)上表面与上基板(2)上下表面均布置有元器件。
2.根据权利要求1所述的LTCC基板3D叠层结构,其特征在于,所述下基板(1)边缘从下到上依次设置有用于上基板(2)和下基板(1)机械固定的第一级台阶(11)和用于下基板(1)与叠放的LTCC基板结构电连接的第二级台阶(12)。
3.根据权利要求2所述的LTCC基板3D叠层结构,其特征在于,所述第二级台阶(12)上设置有电互连的键合区或焊盘。
4.根据权利要求3所述的LTCC基板3D叠层结构,其特征在于,所述电互连的焊盘通过键合、焊接形式进行电互连。
5.根据权利要求1所述的LTCC基板3D叠层结构,其特征在于,所述上基板(2)的形状为矩形或圆形。
6.根据权利要求1或5所述的LTCC基板3D叠层结构,其特征在于,所述下基板(1)的形状为矩形或圆形。
7.根据权利要求1所述的LTCC基板3D叠层结构,其特征在于,所述上基板(2)的厚度为0.5mm~3.5mm,第一级台阶(11)的高度为0.1mm~3.5mm。
8.根据权利要求1所述的LTCC基板3D叠层结构,其特征在于,所述第二级台阶(12)的高度为0.3mm~4mm。
9.根据权利要求1所述的LTCC基板3D叠层结构,其特征在于,所述下基板布(1)的厚度为0.5mm~3.5mm。
10.根据权利要求1所述的LTCC基板3D叠层结构,其特征在于,所述若干叠放的LTCC基板结构外设置有用于封装的外壳(3)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造