[发明专利]一种低功耗、低噪声的混频器

权利要求书

1.一种低功耗、低噪声的混频器，包括跨导级电路、开关级电路、负载级电路；所述开关级电路由两对差分开关对所组成；第一对差分开关对由共源极的NMOS晶体管三、NMOS晶体管四所组成，第二对差分开关对由共源极的NMOS晶体管五、NMOS晶体管六所组成；每一对差分开关对中的两个NMOS晶体管的栅极分别接收一对差分输入的本振信号；

其特征是，所述混频器还包括动态电流源；

所述跨导级电路包括电容一、电容二、电阻三、电阻四；电容一的第一端、电容二的第一端分别接收一对差分输入的电压信号，电容一的第二端连接开关级电路中第一对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极，并通过电阻三接地；电容二的第二端连接开关级电路中第二对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极，并通过电阻四接地；

所述负载级电路由负载电阻一、负载电阻二、电阻五、电容四构成；每个负载电阻均连接工作电压和开关级电路；电阻五和电容四均连接工作电压和动态电流源中两个PMOS晶体管的共漏极；

所述动态电流源由共漏极的PMOS晶体管一和PMOS晶体管二构成；PMOS晶体管一的源极连接PMOS晶体管二的栅极和开关级电路中第一对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极；PMOS晶体管二的源极连接PMOS晶体管一的栅极和开关级电路中第二对差分开关对的两个NMOS晶体管的共源极。

2.根据权利要求1所述的低功耗、低噪声的混频器，其特征是，第一差分开关对中由正本振信号激励的NMOS晶体管三的漏极和第二差分开关对中由负本振信号激励的NMOS晶体管五的漏极均连接负载电阻一；第一差分开关对中由负本振信号激励的NMOS晶体管四的漏极和第二差分开关对中由正本振信号激励的NMOS晶体管六的漏极均连接负载电阻二。

3.根据权利要求1所述的低功耗、低噪声的混频器，其特征是，所述跨导级电路还包括电容三，电容三连接在电容一的第二端和电容二的第二端之间。

4.根据权利要求1所述的低功耗、低噪声的混频器，其特征是，电阻三和/或电阻四替换为NMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的低功耗、低噪声的混频器，其特征是，电阻五替换为电流源。