[发明专利]7700nm长波通红外滤光敏感元件有效
申请号: | 201410734472.X | 申请日: | 2014-12-07 |
公开(公告)号: | CN104597548A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 王继平;吕晶;刘晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20 |
代理公司: | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人: | 周豪靖 |
地址: | 311188 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 7700 nm 长波 通红 滤光 敏感 元件 | ||
技术领域
本发明涉及红外滤光敏感元件领域,尤其是一种7700nm长波通红外滤光敏感元件。
背景技术
红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量),并将其转换为电信号,进而在显示器上生成热图像和温度值,并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量,使您不仅能够观察热图像,还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。
红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键,由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的,所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像,人们往往会在探测器中添加红外滤光敏感元件,通过红外滤光敏感元件可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能),保证红外热成像仪的成像结果。
但是,目前的红外滤光敏感元件,其信噪比低,精度差,不能满足市场发展的需要。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的7700nm长波通红外滤光敏感元件。
为了达到上述目的,本发明所设计的一种7700nm长波通红外滤光敏感元件,包括以Ge为原材料的基板,以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间,其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有167nm厚度的Ge层、239nm厚度的ZnS层、225nm厚度的Ge层、415nm厚度的ZnS层、138nm厚度的Ge层、342nm厚度的ZnS层、138nm厚度的Ge层、256nm厚度的ZnS层、173nm厚度的Ge层、266nm厚度的ZnS层、159nm厚度的Ge层、505nm厚度的ZnS层、142nm厚度的Ge层、249nm厚度的ZnS层、126nm厚度的Ge层、276nm厚度的ZnS层、395nm厚度的Ge层、180nm厚度的ZnS层、168nm厚度的Ge层、492nm厚度的ZnS层、133nm厚度的Ge层、629nm厚度的ZnS层、185nm厚度的Ge层、266nm厚度的ZnS层、313nm厚度的Ge层、503nm厚度的ZnS层、141nm厚度的Ge层、589nm厚度的ZnS层、193nm厚度的Ge层、367nm厚度的ZnS层、348nm厚度的Ge层、897nm厚度的ZnS层、70nm厚度的Ge层、294nm厚度的ZnS层、49nm厚度的Ge层、406nm厚度的ZnS层、621nm厚度的Ge层、959nm厚度的ZnS层;所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有180nm厚度的Ge层、375nm厚度的ZnS层、312nm厚度的Ge层、620nm厚度的ZnS层、385nm厚度的Ge层、535nm厚度的ZnS层、266nm厚度的Ge层、577nm厚度的ZnS层、95nm厚度的Ge层、555nm厚度的ZnS层、295nm厚度的Ge层、581nm厚度的ZnS层、370nm厚度的Ge层、660nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、810nm厚度的ZnS层、277nm厚度的Ge层、670nm厚度的ZnS层、416nm厚度的Ge层、744nm厚度的ZnS层、279nm厚度的Ge层、582nm厚度的ZnS层、530nm厚度的Ge层、660nm厚度的ZnS层、243nm厚度的Ge层、581nm厚度的ZnS层、563nm厚度的Ge层、1081nm厚度的ZnS层。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本发明所得到的一种7700nm长波通红外滤光敏感元件,其在温度测量过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50%Cut on=7700nm,7800~11000nm,Tavg≥90%,8000~11000nm,T≥88%,1500~7400nm,T≤3%。
附图说明
图1是实施例整体结构示意图。
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。
实施例1。
如图1和图2所示,本实施例描述的一种7700nm长波通红外滤光敏感元件,包括以Ge为原材料的基板2,以Ge、ZnS为第一镀膜层1和以Ge、ZnS为第二镀膜层3,且所述基板2设于第一镀膜层1与第二镀膜层3之间,所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有167nm厚度的Ge层、239nm厚度的ZnS层、225nm厚度的Ge层、415nm厚度的ZnS层、138nm厚度的Ge层、342nm厚度的ZnS层、138nm厚度的Ge层、256nm厚度的ZnS层、173nm厚度的Ge层、266nm厚度的ZnS层、159nm厚度的Ge层、505nm厚度的ZnS层、142nm厚度的Ge层、249nm厚度的ZnS层、126nm厚度的Ge层、276nm厚度的ZnS层、395nm厚度的Ge层、180nm厚度的ZnS层、168nm厚度的Ge层、492nm厚度的ZnS层、133nm厚度的Ge层、629nm厚度的ZnS层、185nm厚度的Ge层、266nm厚度的ZnS层、313nm厚度的Ge层、503nm厚度的ZnS层、141nm厚度的Ge层、589nm厚度的ZnS层、193nm厚度的Ge层、367nm厚度的ZnS层、348nm厚度的Ge层、897nm厚度的ZnS层、70nm厚度的Ge层、294nm厚度的ZnS层、49nm厚度的Ge层、406nm厚度的ZnS层、621nm厚度的Ge层、959nm厚度的ZnS层;所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有180nm厚度的Ge层、375nm厚度的ZnS层、312nm厚度的Ge层、620nm厚度的ZnS层、385nm厚度的Ge层、535nm厚度的ZnS层、266nm厚度的Ge层、577nm厚度的ZnS层、95nm厚度的Ge层、555nm厚度的ZnS层、295nm厚度的Ge层、581nm厚度的ZnS层、370nm厚度的Ge层、660nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、810nm厚度的ZnS层、277nm厚度的Ge层、670nm厚度的ZnS层、416nm厚度的Ge层、744nm厚度的ZnS层、279nm厚度的Ge层、582nm厚度的ZnS层、530nm厚度的Ge层、660nm厚度的ZnS层、243nm厚度的Ge层、581nm厚度的ZnS层、563nm厚度的Ge层、1081nm厚度的ZnS层。
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