[发明专利]双薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体管，特别是一种双薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

液晶显示面板包含薄膜晶体管基板、彩色滤光片基板及位于薄膜晶体管基板与彩色滤光片基板之间的液晶分子层。薄膜晶体管基板包含多个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管包含栅极、闸绝缘层、半导体层、源极及漏极。半导体层的材料可包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体、氧化物半导体或其他合适的材料。

然而目前的电路设计越来越复杂，单一次像素区内可能配置有多个薄膜晶体管，导致次像素区的面积必须变大以容纳这些薄膜晶体管，而对薄膜晶体管基板的尺寸产生负面影响。因此，如何避免因薄膜晶体管的数量增加而使次像素区面积变大成为本技术领域目前面临的问题之一。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种包含两个薄膜晶体管沿厚度方向堆叠且共用同一个栅极的双薄膜晶体管及其制造方法，堆叠，该双薄膜晶体管可应用在包含多个薄膜晶体管的电路设计中，以减少在基板上占有的面积，从而解决现有技术中的上述问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种双薄膜晶体管，包含第一半导体层、栅极、第二半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极。第一半导体层设置于基材上。栅极设置于第一半导体层上。第二半导体层设置于栅极上，其中第一半导体层及第二半导体层为同一导电型。第一绝缘层设置于第一半导体层与栅极之间。第二绝缘层设置于栅极与第二半导体层之间。第一源极及第一漏极设置于基材与第二绝缘层之间，且第一半导体层接触第一源极的一部分及第一漏极的一部分。第二源极及第二漏极设置于第二绝缘层上，且第二半导体层接触第二源极的一部分及第二漏极的一部分。

上述的双薄膜晶体管，其中，第一绝缘层具有第一开口及第二开口彼此分离，第一半导体层透过第一开口及第二开口分别接触第一源极的该部分及第一漏极的该部分。

上述的双薄膜晶体管，其中，双薄膜晶体管还包含第三绝缘层设置于第二半导体层上，第三绝缘层具有第三开口及第四开口彼此分离，第二半导体层分别透过第三开口及第四开口接触第二源极的该部分及第二漏极的该部分。

上述的双薄膜晶体管，其中，第二半导体层设置于第二源极上，并直接接触第二源极的该部分。

上述的双薄膜晶体管，其中，双薄膜晶体管还包含第三绝缘层设置于第二半导体层上，第三绝缘层具有第四开口，第二半导体层透过第四开口接触第二漏极的该部分。

为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种双薄膜晶体管的制造方法，包含：形成第一半导体层于基材上。形成第一绝缘层于第一半导体层上。形成第一源极于基材上，且第一半导体层接触第一源极的一部分。形成第一漏极于基材上，且第一半导体层接触第一漏极的一部分。形成栅极于第一绝缘层上。形成第二绝缘层于栅极上。形成第二半导体层于第二绝缘层上。形成第二源极于第二绝缘层上，且第二半导体层接触第二源极的一部分。形成第二漏极于第二绝缘层上，且第二半导体层接触第二漏极的一部分。

上述的双薄膜晶体管的制造方法，其中，还包含形成第三绝缘层于第二半导体层上于形成第二半导体层步骤后，第三绝缘层具有第三开口及第四开口彼此分离，并且形成第二源极步骤包含形成第二源极于第三绝缘层上及第三开口内，使第二半导体层透过第三开口接触第二源极的该部分，并且形成第二漏极步骤包含形成第二漏极于第三绝缘层上及第四开口内，使第二半导体层透过第四开口接触第二漏极的该部分。

上述的双薄膜晶体管的制造方法，其中，形成第二源极步骤于形成第二半导体层步骤前进行。

上述的双薄膜晶体管的制造方法，其中，还包含形成第三绝缘层于第二半导体层上于形成第二半导体层步骤后及形成第二漏极步骤前，第三绝缘层具有第四开口，并且形成第二漏极步骤包含形成第二漏极于第三绝缘层上及第四开口内，使第二半导体层透过第四开口接触第二漏极的该部分。

上述的双薄膜晶体管的制造方法，其中，形成栅极步骤、形成第一源极步骤及形成第一漏极步骤通过同一道微影蚀刻工艺进行。

本发明的技术效果在于：

本发明的制造方法可用以制造包含两个薄膜晶体管沿厚度方向堆叠且共用同一个栅极的双薄膜晶体管。此双薄膜晶体管可应用在包含多个薄膜晶体管的电路设计中，如GIP电路设计，以减少在基板上占有的面积，从而解决现有技术中的上述问题。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明的一实施例的双薄膜晶体管的剖面示意图；