[发明专利]封装基板的加工方法有效
申请号: | 201410730177.7 | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN104701256B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 岩崎健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;蔡丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装基板 密封材料层 切削痕 分割预定线 切削 基板 器件区域 切削刀具 加工 侧向 多个器件 器件芯片 密封 贯通 芯片 切入 | ||
本发明提供一种封装基板的加工方法,其能够从密封材料层侧容易地切削封装基板。提供一种如下的封装基板的加工方法,其中该封装基板具有:基板;多个器件芯片,它们分别搭载于基板上的由交叉的多条分割预定线划分出的各器件区域中;以及密封材料层,其密封该器件芯片,该封装基板的加工方法的特征在于,具有:切削痕形成步骤,在不同于该器件区域的区域中,使切削刀具从该基板侧向该封装基板切入至贯通该密封材料层的深度,形成与该分割预定线具有规定的位置关系的切削痕;以及切削步骤,在实施了该切削痕形成步骤后,使用切削刀具基于该切削痕从该密封材料层侧沿着该分割预定线切削封装基板。
技术领域
本发明涉及封装基板的加工方法。
背景技术
CSP(Chip Size Package:芯片尺寸封装)基板等封装基板具有:基板;多个器件芯片,它们分别搭载于基板上的由交叉的多条分割预定线划分出的各器件区域中;以及密封材料层,其由密封这些器件芯片树脂形成,这样的封装基板被切削装置沿着分割预定线分割,形成为与器件芯片大致相同尺寸的封装件。
在封装基板的通常的分割方法中,通过保持构件(卡盘工作台)保持封装基板的密封材料层侧并使基板面露出,基于封装基板的电极或焊盘等实施对准,沿着分割预定线切削封装基板,从而分割为各个封装件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-253058号公报
发明内容
然而例如在不希望由于切削产生的切削屑附着于基板正面的焊盘或电极等上的情况下,抑或基于希望防止因通常由纯水构成的切削水所导致的电极的腐蚀等目的,有时在通过保持构件保持基板正面侧而使密封材料层侧露出的状态下切削封装基板。
这种情况下,在密封材料层侧并不存在成为对准的基准的标记,因而以往例如预先测定好从封装基板的外周缘至分割预定线的距离,根据该距离和从分割预定线到下一条分割预定线的距离即分度量进行了切削。
然而,这种现有的切削方法中,指定按每个封装基板测定的与外周缘之间的距离并开始切削时存在非常耗费工时的问题。
本发明就是鉴于这点而完成的,其目的在于提供一种能够容易地从密封材料层侧切削封装基板的封装基板的加工方法。
本发明提供一种如下的封装基板的加工方法,该封装基板具有:基板;多个器件芯片,它们分别搭载于基板上的由交叉的多条分割预定线划分出的各器件区域中;以及密封材料层,其密封该器件芯片,该封装基板的加工方法的特征在于,具有:切削痕形成步骤,在不同于该器件区域的区域中,使切削刀具从该基板侧向该封装基板切入至贯通该密封材料层的深度,形成与该分割预定线具有规定的位置关系的切削痕;以及切削步骤,在实施了该切削痕形成步骤后,使用切削刀具基于该切削痕从该密封材料层侧沿着该分割预定线切削封装基板。
优选在切削痕形成步骤中,形成分别对应于多条分割预定线的多个切削痕。
在本发明的加工方法中,在从密封材料层侧切削封装基板之前,在密封材料层形成对应于分割预定线的切削痕。例如,通过相对于分割预定线以一定的位置关系形成切削痕,从而在切削时不需要按照每个封装基板指定切削位置,因而能够更为容易地从密封材料层侧切削封装基板。
此外,通常在封装基板上,会产生因利用密封材料的芯片密封工序中的加热和基板与密封材料的热膨胀率之差引起的膨胀和伸缩,若根据分度量切削封装基板,则可能会切削分割预定线外而使得芯片破损。
然而,如本发明第2方面所述的发明,通过形成多个分别对应于多条分割预定线的切削痕,从而即使封装基板产生膨胀和伸缩也能够更为正确地切削分割预定线,能够降低芯片破损的可能。
附图说明
图1是适于实施本发明的加工方法的切削装置的局部剖切立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造