[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其特征为，该半导体封装件包括：

增层结构，其具有相对的第一底面与第一顶面；

至少一半导体组件，其设置于该增层结构的第一顶面上，且该半 导体组件电性连接该增层结构；

封装胶体，其形成于该增层结构的第一顶面上以包覆该半导体组 件，该封装胶体具有相对的第二底面与第二顶面，且该第二底面面向 该增层结构的第一顶面；以及

强化层，其形成于该封装胶体的第二顶面上、该增层结构与该封 装胶体之间、或该增层结构的第一底面上。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该增层结构具 有至少一介电层、多个形成于该介电层中的导电盲孔、及至少一形成 于该介电层上并电性连接该些导电盲孔的线路层，且该线路层具有多 个第一电性连接垫。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，当该强化层是 形成于该封装胶体的第二顶面上、或该增层结构与该封装胶体之间时， 该半导体封装件还包括第一绝缘保护层，该第一绝缘保护层形成于该 增层结构的第一底面上，并具有多个第一贯穿孔以分别外露出该增层 结构的多个导电盲孔。

4.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征为，该半导体封装 件还包括多个第二电性连接垫，其形成于该第一绝缘保护层上至该些 第一贯穿孔内以分别电性连接该些导电盲孔。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，当该强化层是 形成于该封装胶体的第二顶面上时，该半导体封装件还包括形成于该 强化层上的绝缘层。

6.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征为，该半导体封装 件还包括黏着层，其形成于该封装胶体与该强化层之间。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，当该强化层是 形成于该增层结构与该封装胶体之间时，该强化层具有多个开孔以分 别外露出该增层结构的多个第一电性连接垫。

8.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，当该强化层是 形成于该增层结构的第一底面上时，该半导体封装件还包括第一绝缘 保护层与多个第二贯穿孔，该第一绝缘保护层形成于该增层结构与该 强化层之间，该些第二贯穿孔形成于该强化层至该第一绝缘保护层中 以分别外露出该增层结构的多个导电盲孔。

9.如权利要求8所述的半导体封装件，其特征为，该半导体封装 件还包括绝缘层，其形成于该强化层与该些第二贯穿孔的壁面上。

10.如权利要求9所述的半导体封装件，其特征为，该半导体封装 家还包括多个第二电性连接垫，其形成于该绝缘层上至该些第二贯穿 孔内以分别电性连接该些导电盲孔。

11.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该半导体封装 件还包括第二绝缘保护层，其形成于该增层结构的第一顶面上，并外 露出该增层结构的多个第一电性连接垫。

12.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该半导体封装 件还包括凸块底下金属层与多个导电组件，该凸块底下金属层形成于 该增层结构的多个第一电性连接垫上，该些导电组件形成于该半导体 组件与该凸块底下金属层之间。

13.如权利要求12所述的半导体封装件，其特征为，该半导体封 装件还包括底胶，其形成于该半导体组件的主动面上以包覆该凸块底 下金属层与该些导电组件。

14.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该强化层的材 质为弹性材料、缓冲材料或半导体材料。

15.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，当该强化层是 形成于该封装胶体的第二顶面或该增层结构的第一底面上时，该强化 层的材质为硅。

16.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，当该强化层是 形成于该增层结构与该封装胶体之间时，该强化层的材质为聚苯恶唑。