[发明专利]一种加速烧结钕铁硼磁体表面Dy/Tb附着层扩渗的方法有效
| 申请号： | 201410729880.6 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104388952B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 包小倩;高学绪;汤明辉;卢克超 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 加速 烧结 钕铁硼 磁体 表面 dy tb 附着 层扩渗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种加速烧结钕铁硼磁体表面Dy/Tb附着层扩渗的方法，其特征是在烧结钕铁硼磁体的表面附着Dy/Tb元素，随后对其高压热处理，压力范围1－100MPa，在加压的状态下同时进行热处理，以加速Dy/Tb在烧结钕铁硼磁体晶界的扩渗，从而降低热处理温度，改善磁体的磁性能，获得高矫顽力磁体；
具体工艺步骤为：
a.对烧结钕铁硼磁体表面进行清洁处理；
b.在洁净的钕铁硼磁体表面附着上Dy/Tb元素形成Dy/Tb附着层；
c.对有Dy/Tb附着层的烧结钕铁硼磁体进行高压热处理，先抽真空至(3-5)×10-3Pa，而后升温至600-740℃，并充氩气提供所需的等静压力，压力范围为1－100MPa，保温0.5－2h；
d.对经过高压热处理的磁体在400－600℃下保温1－3h进行中温热处理，进一步改善磁体的显微组织和边界结构；
e.最终得到高矫顽力钕铁硼磁体；
其中，步骤a所述的烧结钕铁硼是烧结态钕铁硼，或者是经过回火处理过的烧结钕铁硼；
其中，Dy/Tb附着层是Dy,Tb中的一种或两种；
其中，附着源是Dy,Tb纯金属，或者是含Dy,Tb的化合物；
其中，附着源的附着方法是黏覆、溅射、气相沉积、电镀、电泳中的任意一种。
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