[发明专利]一种窗膜及其制备方法

权利要求书

1.一种窗膜，包括：

柔性透明基材，所述柔性透明基材作为衬底；

设置在所述柔性透明基材表面的第一金属靶材膜；

设置在所述第一金属靶材膜表面的第一高折射率化合物膜，所述第一高折射率化合物膜的折射率选自2.0～2.5；

设置在所述第一高折射率化合物膜表面的第一金属氧化物膜，所述第一金属氧化物膜的材质选自过渡族金属氧化物或锡的氧化物；

设置在所述第一金属氧化物膜表面的第一含银金属膜；

设置在所述第一含银金属膜表面的第二金属靶材膜；

设置在所述第二金属靶材膜表面的第二高折射率化合物膜，所述第二高折射率化合物膜的折射率选自2.0～2.5。

2.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，还包括：

设置在所述第二高折射率化合物膜表面的第二金属氧化物膜，所述第二金属氧化物膜的材质选自过渡族金属氧化物或锡的氧化物；

设置在所述第二金属氧化物膜表面的第二含银金属膜；设置在所述第二含银金属膜表面的第三金属靶材膜；

设置在所述第三金属靶材膜表面的第三高折射率化合物膜，所述第三高折射率化合物膜的折射率选自2.0～2.5。

3.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述柔性透明基材的厚度选自20微米～30微米。

4.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述第一金属靶材膜的材质和第二金属靶材膜的材质独立地选自Zn、Ti、Cu、Ni、NiCr或Cr。

5.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述第一金属靶材膜的厚度和第二金属靶材膜的厚度独立地选自0.2nm～0.8nm。

6.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述第一高折射率化合物膜的折射率和第二高折射率化合物膜的折射率独立地选自2.2～2.3。

7.根据权利要求1的窗膜，其特征在于，所述第一高折射率化合物膜和第二高折射率化合物膜的材质独立地选自Nb₂O₅、ITO、Si₃N₄、SnO₂、TiO₂或TaO₂。

8.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述第一高折射率化合物膜的厚度选自22nm～30nm。

9.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述第一金属氧化物膜和第二金属氧化物膜的材质独立地选自氧化锌、氧化锡或铝掺杂的氧化锌。

10.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述第一金属氧化物膜和第二金属氧化物膜的厚度独立地选自1nm～5nm。

11.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述第一含银金属膜的材质选自银或银合金。

12.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述第一含银金属膜的厚度选自5nm～12nm。

13.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述第二高折射率化合物膜的厚度选自22nm～27nm。

14.根据权利要求2所述的窗膜，其特征在于，所述第三高折射率化合物膜的厚度选自20nm～30nm。

15.根据权利要求1所述的窗膜，其特征在于，所述窗膜在380nm～780nm的可见光范围的透光率＞72％；

在780nm～2500nm的红外光范围的透光率＜10％。

16.一种窗膜的制备方法，包括以下步骤：

1)、将第一金属靶材磁控溅射在柔性透明基材表面，得到设置在所述柔性透明基材表面的第一金属靶材膜；

2)、在所述第一金属靶材膜的表面磁控溅射第一高折射率化合物，得到设置在所述第一金属靶材膜表面的第一高折射率化合物膜，所述第一高折射率化合物的折射率选自2.0～2.5；

3)、在所述第一高折射率化合物膜的表面磁控溅射第一金属氧化物，得到设置在所述第一高折射率化合物膜表面的第一金属氧化物膜，所述第一金属氧化物选自过渡族金属氧化物或锡的氧化物；

4)、在所述第一金属氧化物膜的表面磁控溅射第一含银金属，得到设置在所述第一金属氧化物膜表面的第一含银金属膜；

5)、在所述第一含银金属膜的表面磁控溅射第二金属靶材，得到设置在所述第一含银金属膜表面的第二金属靶材膜；

6)、在所述第二金属靶材膜的表面磁控溅射第二高折射率化合物，得到窗膜，所述第二高折射率化合物的折射率选自2.0～2.5。