[发明专利]芯片电子元件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410724564.X | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104900375A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 韩珍玉;朴文秀;金珆暎 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01F17/04 | 分类号： | H01F17/04;H01F27/24;H01F1/14;H01F1/42;H01F41/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李婉婉;金迪 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 电子元件 及其 制备 方法 | ||
1.一种芯片电子元件，该芯片电子元件包括：
磁体，所述磁体包括设置在绝缘基底的至少一个表面上的内部线圈图案；和
外部电极，所述外部电极设置在所述磁体的至少一个端面上以与所述内部线圈图案的末端连接；
其中，所述磁体含有不饱和羧酸基聚合物。
2.根据权利要求1所述的芯片电子元件，其中，所述磁体还含有硅氧烷基共聚物。
3.根据权利要求1所述的芯片电子元件，其中，所述磁体还含有金属基软磁性材料。
4.根据权利要求3所述的芯片电子元件，其中，所述金属基软磁性材料的颗粒直径为0.1-30μm。
5.根据权利要求1所述的芯片电子元件，其中，所述不饱和羧酸基聚合物的重均分子量为500-2300。
6.根据权利要求2所述的芯片电子元件，其中，所述硅氧烷基共聚物的重均分子量为500-2300。
7.根据权利要求1所述的芯片电子元件，其中，基于所述磁体中含有的100重量份的金属基软磁性材料，所述不饱和羧酸基聚合物的含量为0.5-2.0重量份。
8.根据权利要求2所述的芯片电子元件，其中，基于所述磁体中含有的100重量份的金属基软磁性材料，所述硅氧烷基共聚物的含量为0.05-0.2重量份。
9.根据权利要求1所述的芯片电子元件，其中，所述磁体的填充率为80％以上。
10.一种制备芯片电子元件的方法，该方法包括：
在绝缘基底的至少一个表面上形成内部线圈图案；
在绝缘基底的上部和下部堆叠磁性片材以形成磁体，所述绝缘基底包括形成在所述绝缘基底的上部和下部的所述内部线圈图案；以及
在所述磁体的至少一个端面上形成外部电极以与所述内部线圈图案的末端连接；
其中，所述磁性片材含有不饱和羧酸基聚合物。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述磁性片材还含有硅氧烷基共聚物。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述磁性片材还含有金属基软磁性材料。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述金属基软磁性材料的颗粒直径为0.1-30μm。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述不饱和羧酸基聚合物的重均分子量为500-2300。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述硅氧烷基共聚物的重均分子量为500-2300。
16.根据权利要求10所述的方法，其中，基于所述磁性片材中含有的100重量份的金属基软磁性材料，所述磁性片材含有0.5-2.0重量份的所述不饱和羧酸基聚合物。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，基于所述磁性片材中含有的100重量份的金属基软磁性材料，所述磁性片材含有0.05-0.2重量份的所述硅氧烷基共聚物。
18.根据权利要求10所述的方法，其中，所述磁体的填充率为80％以上。
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