[发明专利]基于忆阻器的含y方的Lu型超混沌系统的构建方法及电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种混沌系统及电路实现，特别涉及一种基于忆阻器的含y方的Lu型超混沌系统的构建方法及电路。

背景技术

当前，构造四维超混沌的方法主要是在三维混沌系统的基础上，增加一维构成四维超混沌系统，忆阻器作为2008年惠普实验室新发现的物理元件，可以代替蔡氏电路中的蔡氏二极管构成四维混沌系统，在蔡氏电路中要构成超混沌则需要2个忆阻元件，因此需要五维或五维以上的系统，在具有忆阻元件的四维系统中实现超混沌的系统电路还比较少，忆阻器应用于四维超混沌系统的方法还没有被提出，这是现有技术的不足之处。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种基于忆阻器的含y方的Lu型超混沌系统的构建方法及电路：

1.基于忆阻器的含y方的Lu型超混沌系统的构建方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)含y方的Lu.型混沌系统i为：

dz/dt=a(y-x)dy/dt=cy-xzdz/dt=y2-bza=36,b=3,c=20---i]]>

式中x,y,z为状态变量；

(2)本发明采用的忆阻器为磁控忆阻器模型ii为：

其0中表示磁控忆阻，表示磁通量，m,n是大于零的参数；

(3)对ii的磁控忆阻器模型求导得忆导器模型iii为：

表示磁控忆导,m,n是大于零的参数；

(4)把磁控忆导器模型iii作为一维系统变量，加在含x方的Lu型混沌系统的第二方程上，获得一种基于忆阻器的含x方的Lu型超混沌系统iv：

dz/dt=a(y-x)dy/dt=cy-xz-KxW(u)dz/dt=y2-bzdu/dt=-x---iv]]>