[发明专利]带有光学检查特征的无引线半导体封装

权利要求书

1.一种制造模制半导体封装的方法，所述方法包括：

提供引线框架，所述引线框架包括多个较厚的键合焊盘，所述多个较厚的键合焊盘在键合焊盘的第一侧处被较薄的系杆互连；

用抵抗对系杆的刻蚀的材料覆盖键合焊盘的第一侧；

将半导体管芯和电导体附连到与第一侧相对的键合焊盘的第二侧；

在键合焊盘的第二侧处将半导体管芯和电导体封闭在模制化合物中；

在键合焊盘的被覆盖的第一侧处在键合焊盘之间至少部分地刻穿系杆；

电镀未被模制化合物覆盖的键合焊盘的暴露侧壁；并且

在系杆先前被刻蚀的不同区中切穿模制化合物以形成分离的封装。

2.权利要求1的所述方法，其中用抵抗对系杆的刻蚀的材料覆盖键合焊盘的第一侧包括：用NiPdAu涂布键合焊盘的第一侧。

3.权利要求1的所述方法，其中用抵抗对系杆的刻蚀的材料覆盖键合焊盘的第一侧包括：用Ag涂布键合焊盘的第一侧。

4.权利要求1的所述方法，其中将半导体管芯和电导体附连到键合焊盘的第二侧包括：

用Ag涂布键合焊盘的第二侧；并且

将半导体管芯和电导体经由Ag附连到键合焊盘的第二侧。

5.权利要求1的所述方法，其中在键合焊盘的被覆盖的第一侧处在键合焊盘之间完全地刻穿系杆。

6.权利要求5的所述方法，其中键合焊盘的暴露侧壁通过无电沉积被电镀。

7.权利要求1的所述方法，其中在键合焊盘的被覆盖的第一侧处在键合焊盘之间部分地刻穿系杆使得系杆保持完好。

8.权利要求7的所述方法，其中键合焊盘的暴露侧壁通过电解沉积被电镀。

9.权利要求1的所述方法，其中键合焊盘的暴露侧壁用NiPAu电镀。

10.权利要求1的所述方法，其中在键合焊盘的被覆盖的第一侧处在键合焊盘之间至少部分地刻穿系杆包括：

在键合焊盘的被覆盖的第一侧处在键合焊盘之间将来自喷嘴的化学刻蚀剂指向系杆。

11.权利要求10的所述方法，其中键合焊盘和系杆包括铜并且化学刻蚀剂包括氯化铵或氯化铜。

12.权利要求1的所述方法，其中键合焊盘中的一些是管芯座并且键合焊盘中的其它一些是引线，并且其中模制化合物延伸到覆盖在管芯座和引线中的邻近的管芯座和引线之间的键合焊盘的第一侧的材料。

13.权利要求12的所述方法，其中模制化合物完全地覆盖管芯座和引线中的邻近的管芯座和引线的面对的侧壁。

14.一种半导体封装，包括：

多个键合焊盘，具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；

涂层，覆盖键合焊盘的第一侧；

半导体管芯和电导体，附连到键合焊盘的第二侧；

模制化合物，在键合焊盘的第二侧处封闭半导体管芯和电导体，所述模制化合物具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，键合焊盘凸出穿过所述第一侧，模制化合物的第一侧在键合焊盘中的邻近的键合焊盘之间具有平面的表面；以及

电镀在未被模制化合物覆盖的键合焊盘的暴露侧壁上的材料，所述材料通过光学检查是可检测的。

15.权利要求14的所述半导体封装，其中键合焊盘中的最外键合焊盘具有面向外的侧壁，所述面向外的侧壁是平面的并且未被模制化合物覆盖。

16.权利要求14的所述半导体封装，其中覆盖键合焊盘的第一侧的涂层包括NiPdAu。

17.权利要求14的所述半导体封装，其中覆盖键合焊盘的第一侧的涂层包括Ag。

18.权利要求14的所述半导体封装，其中电镀在键合焊盘的暴露侧壁上的所述材料包括NiPAu。

19.权利要求14的所述半导体封装，其中模制化合物具有在模制化合物的第一侧和第二侧之间延伸并且与最外管芯焊盘间隔开的横向边缘，并且其中在模制化合物的第一侧和第二侧之间的厚度在键合焊盘中的邻近的键合焊盘之间比在横向边缘和最外键合焊盘之间更大。

20.权利要求14的所述半导体封装，进一步包括从键合焊盘中的最外一个延伸到模制化合物的横向边缘的切断的横向凸出。